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专利标题：
用於銅金屬化積體電路之連結墊的結構及方法
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- 专利标题（英）：Structure and method for bond pads of copper-metallized integrated circuits
- 专利标题（中）：用于铜金属化集成电路之链接垫的结构及方法
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申请号：TW090103495
申请日：2001-03-14
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公开(公告)号：TW494510B
公开(公告)日：2002-07-11
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发明人：
史羅傑
, 安恭羅
, 泰郝瓦
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申请人：
德州儀器公司
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申请人地址：
美國
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专利权人：
德州儀器公司
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当前专利权人：
德州儀器公司
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当前专利权人地址：
美國
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代理人：
蔡中曾
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优先权：
美國 60/183,405 20000218 美國 60/191,949 20000324
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主分类号：
H01L
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IPC分类号：
H01L
摘要：
揭示一種強化、可靠且低成本之金屬結構及方法，其能將導電接線/帶與銅金屬化積體電路之連結相連。本結構包括沉積於未氧化銅表面之第一障壁金屬層，其銅擴散係數，在250℃下，小於1×10E-23cm2/S，厚度自約0.5至1.5微米。更包括第一障壁金屬層上之第二障壁金屬層，其對第一障壁金屬之擴散係數，在250℃下，小於1×10E-14cm2/S，厚度小於1.5微米。最後包括最外層的可連結性金屬，其上之金屬接線與其係以金屬化連接相連。第一障壁金屬層係選自包括鎳、鈷、鉻、鉬、鈦、鎢及其合金之群組中。第二障壁金屬層係選自包括鈀、鈷、鉑及鋨之群組中。最外金屬層係選自包括金、鉑及銀之群組中。
摘要（中）：
揭示一种强化、可靠且低成本之金属结构及方法，其能将导电接线/带与铜金属化集成电路之链接相连。本结构包括沉积于未氧化铜表面之第一障壁金属层，其铜扩散系数，在250℃下，小于1×10E-23cm2/S，厚度自约0.5至1.5微米。更包括第一障壁金属层上之第二障壁金属层，其对第一障壁金属之扩散系数，在250℃下，小于1×10E-14cm2/S，厚度小于1.5微米。最后包括最外层的可链接性金属，其上之金属接线与其系以金属化连接相连。第一障壁金属层系选自包括镍、钴、铬、钼、钛、钨及其合金之群组中。第二障壁金属层系选自包括钯、钴、铂及锇之群组中。最外金属层系选自包括金、铂及银之群组中。
摘要（英）：
A robust, reliable and low-cost metal structure and process enabling electrical wire/ribbon connections to the interconnecting copper metallization of integrated circuits. The structure comprises a layer of first barrier metal, deposited on the non-oxidized copper surface, having a copper diffusion coefficient of less than 1 x 10E-23 cm2/s at 250 DEG C and a thickness from about 0.5 to 1.5 &mgr;m. It further comprises a layer of second barrier metal on the layer of first barrier metal, having a diffusion coefficient of the first barrier metal of less than 1 x 10E-14 cm2/s at 250 DEG C and a thickness of less than 1.5 &mgr;m. It finally comprises an outermost layer of bondable metal, onto which a metal wire is bonded for metallurgical connection. The first barrier metal is selected from a group consisting of nickel, cobalt, chromium, molybdenum, titanium, tungsten, and alloys thereof. The second barrier metal is selected from a group consisting of palladium, cobalt, platinum and osmium. The outermost metal layer is selected from a group consisting of gold, platinum, and silver.
