基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置、罩幕式唯讀記憶體及其製造方法
- 专利标题（中）：半导体设备、罩幕式唯读内存及其制造方法
- 申请号：TW084109867 申请日：1995-09-20
- 公开(公告)号：TW297949B 公开(公告)日：1997-02-11
- 发明人： 谷本順一 , 長谷川正博
- 申请人： 夏普股份有限公司
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 夏普股份有限公司
- 当前专利权人： 夏普股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 陳長文
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
一種半導體裝置包含一半導體基片與至少一含有多個第一傳導型式或第二傳導型式雜質離子之一槽被形成；多個電晶體皆具有一閘極絕緣薄膜形成在該槽上，一閘極電極形成在該閘極絕緣薄膜上及一對擴散層形成在該槽內；及一與該槽的傳導型式相同的外擴散層及與每一該等擴散層自行排列在該槽的外週邊內；該外擴散層具有一雜質濃度足以供應一希望的接面耐電壓，及當一作動電壓施於該相對電晶體，具有如將產生的一空乏層的相同寬度；該槽的雜質被設定於一濃度使得出現在該閘極電極之下連接著多個相鄰電晶體的一寄生電晶體的一閥限電壓高於一電源供應器電壓，由是該等相鄰電晶體彼此隔離。
摘要（中）：
一种半导体设备包含一半导体基片与至少一含有多个第一传导型式或第二传导型式杂质离子之一槽被形成；多个晶体管皆具有一闸极绝缘薄膜形成在该槽上，一闸极电极形成在该闸极绝缘薄膜上及一对扩散层形成在该槽内；及一与该槽的传导型式相同的外扩散层及与每一该等扩散层自行排列在该槽的外周边内；该外扩散层具有一杂质浓度足以供应一希望的接面耐电压，及当一作动电压施于该相对晶体管，具有如将产生的一空乏层的相同宽度；该槽的杂质被设置于一浓度使得出现在该闸极电极之下连接着多个相邻晶体管的一寄生晶体管的一阀限电压高于一电源供应器电压，由是该等相邻晶体管彼此隔离。