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1. 发明专利

TW239904B 電源電壓之步降電路失效
简体标题：电源电压之步降电路
公开(公告)号：TW239904B
公开(公告)日：1995-02-01
申请号：TW082106516
申请日：1993-08-13
申请人：夏普股份有限公司
发明人：石井稔士 , 谷本順一
IPC分类号： H02M
CPC分类号： G05F1/445 , G05F1/465
摘要：一種轉換外部電源電壓為低於外部電源電壓之第一電壓以便施加其至內部電路之電源電壓步降電路係以下列提供：一參考電壓產生電路以供自外部電源電壓產生參考電壓；一微分放大電路以供釋放參考電壓及該第一電壓間之差作為控制信號，一驅動電路以供控制驅動電流，該驅動電流係根據自微分放大電路之控制信號而供應至內部電路；一信號產生電路以藉偵測內部電路中消耗電流之增加而釋放偵測信號；以及一控制設備人供控制驅動電路以便根據自信號產生電路之偵測信號而增加供應至內部電路之電流。縱使內部電路之消耗電流增加時，此種配置乃使其可能限制施加至內部電路之第一電壓降至最低值。
简体摘要：一种转换外部电源电压为低于外部电源电压之第一电压以便施加其至内部电路之电源电压步降电路系以下列提供：一参考电压产生电路以供自外部电源电压产生参考电压；一微分放大电路以供释放参考电压及该第一电压间之差作为控制信号，一驱动电路以供控制驱动电流，该驱动电流系根据自微分放大电路之控制信号而供应至内部电路；一信号产生电路以藉侦测内部电路中消耗电流之增加而释放侦测信号；以及一控制设备人供控制驱动电路以便根据自信号产生电路之侦测信号而增加供应至内部电路之电流。纵使内部电路之消耗电流增加时，此种配置乃使其可能限制施加至内部电路之第一电压降至最低值。

2. 发明专利

TW297949B 半導體裝置、罩幕式唯讀記憶體及其製造方法失效
简体标题：半导体设备、罩幕式唯读内存及其制造方法
公开(公告)号：TW297949B
公开(公告)日：1997-02-11
申请号：TW084109867
申请日：1995-09-20
申请人：夏普股份有限公司
发明人：谷本順一 , 長谷川正博
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/105 , H01L27/112 , H01L27/11286
摘要：一種半導體裝置包含一半導體基片與至少一含有多個第一傳導型式或第二傳導型式雜質離子之一槽被形成；多個電晶體皆具有一閘極絕緣薄膜形成在該槽上，一閘極電極形成在該閘極絕緣薄膜上及一對擴散層形成在該槽內；及一與該槽的傳導型式相同的外擴散層及與每一該等擴散層自行排列在該槽的外週邊內；該外擴散層具有一雜質濃度足以供應一希望的接面耐電壓，及當一作動電壓施於該相對電晶體，具有如將產生的一空乏層的相同寬度；該槽的雜質被設定於一濃度使得出現在該閘極電極之下連接著多個相鄰電晶體的一寄生電晶體的一閥限電壓高於一電源供應器電壓，由是該等相鄰電晶體彼此隔離。
简体摘要：一种半导体设备包含一半导体基片与至少一含有多个第一传导型式或第二传导型式杂质离子之一槽被形成；多个晶体管皆具有一闸极绝缘薄膜形成在该槽上，一闸极电极形成在该闸极绝缘薄膜上及一对扩散层形成在该槽内；及一与该槽的传导型式相同的外扩散层及与每一该等扩散层自行排列在该槽的外周边内；该外扩散层具有一杂质浓度足以供应一希望的接面耐电压，及当一作动电压施于该相对晶体管，具有如将产生的一空乏层的相同宽度；该槽的杂质被设置于一浓度使得出现在该闸极电极之下连接着多个相邻晶体管的一寄生晶体管的一阀限电压高于一电源供应器电压，由是该等相邻晶体管彼此隔离。

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