基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置之製造方法及雙面黏著薄片
- 专利标题（中）：半导体设备之制造方法及双面黏着薄片
- 申请号：TW107111202 申请日：2018-03-30
- 公开(公告)号：TW201839868A 公开(公告)日：2018-11-01
- 发明人： 阿久津高志 , AKUTSU, TAKASHI , 岡本也 , OKAMOTO, NAOYA , 中山武人 , NAKAYAMA, TAKEHITO
- 申请人： 日商琳得科股份有限公司 , LINTEC CORPORATION
- 专利权人： 日商琳得科股份有限公司,LINTEC CORPORATION
- 当前专利权人： 日商琳得科股份有限公司,LINTEC CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2017-073238 20170331
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56
摘要：
本發明提供半導體裝置之製造方法及該製造方法所用之雙面黏著薄片，該半導體裝置之製造方法係使用雙面黏著薄片來製造半導體裝置之方法，該雙面黏著薄片依序具有：第1黏著劑層、包含膨脹性粒子且為非黏著性的基材、與第2黏著劑層， 具有下述步驟(1)~(4)， 步驟(1)：將硬質支撐體貼合於第2黏著劑層的黏著表面之步驟； 步驟(2)：將半導體晶片載置於第1黏著劑層的黏著表面的一部分之步驟； 步驟(3)：以密封材來被覆前述半導體晶片、與第1黏著劑層的黏著表面中的前述半導體晶片的周邊部，使該密封材硬化，得到前述半導體晶片被硬化密封材所密封而成的硬化密封體之步驟； 步驟(4)：使前述膨脹性粒子膨脹，將前述雙面黏著薄片從前述硬化密封體上剝離之步驟。 該製造方法可抑制扇出型封裝之製造步驟中之半導體晶片發生位置偏移，且生產性優異，所得之半導體裝置之再配線層形成面之平坦性優異。
摘要（中）：
本发明提供半导体设备之制造方法及该制造方法所用之双面黏着薄片，该半导体设备之制造方法系使用双面黏着薄片来制造半导体设备之方法，该双面黏着薄片依序具有：第1黏着剂层、包含膨胀性粒子且为非黏着性的基材、与第2黏着剂层， 具有下述步骤(1)~(4)， 步骤(1)：将硬质支撑体贴合于第2黏着剂层的黏着表面之步骤； 步骤(2)：将半导体芯片载置于第1黏着剂层的黏着表面的一部分之步骤； 步骤(3)：以密封材来被覆前述半导体芯片、与第1黏着剂层的黏着表面中的前述半导体芯片的周边部，使该密封材硬化，得到前述半导体芯片被硬化密封材所密封而成的硬化密封体之步骤； 步骤(4)：使前述膨胀性粒子膨胀，将前述双面黏着薄片从前述硬化密封体上剥离之步骤。 该制造方法可抑制扇出型封装之制造步骤中之半导体芯片发生位置偏移，且生产性优异，所得之半导体设备之再配线层形成面之平坦性优异。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |