基本信息:
- 专利标题： 封裝堆疊構造及其製造方法
- 专利标题（英）：PACKAGE ON PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
- 专利标题（中）：封装堆栈构造及其制造方法
- 申请号：TW106105525 申请日：2017-02-20
- 公开(公告)号：TW201832297A 公开(公告)日：2018-09-01
- 发明人： 王啓安 , WANG, CHI-AN , 徐宏欣 , HSU, HUNG-HSIN , 陳裕緯 , CHEN, YU-WEI
- 申请人： 力成科技股份有限公司 , POWERTECH TECHNOLOGY INC.
- 申请人地址： 新竹縣
- 专利权人： 力成科技股份有限公司,POWERTECH TECHNOLOGY INC.
- 当前专利权人： 力成科技股份有限公司,POWERTECH TECHNOLOGY INC.
- 当前专利权人地址： 新竹縣
- 代理人： 葉璟宗; 詹東穎; 劉亞君
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L23/36 ; H01L23/52
摘要：
本發明提供一種封裝堆疊構造，包括第一封裝結構、中介層、導熱層以及第二封裝結構。第一封裝結構包括第一晶片以及第一絕緣密封體。第一絕緣密封體密封第一晶片且暴露出第一晶片的上表面。中介層配置於第一封裝結構上，且與第一封裝結構電性連接。導熱層夾置於第一封裝結構與中介層之間，且覆蓋第一晶片的至少部分上表面。導熱層與第一晶片以及中介層直接接觸。第二封裝結構配置於中介層上，且與中介層電性連接。本發明還提供一種封裝堆疊構造的製造方法。
摘要（中）：
本发明提供一种封装堆栈构造，包括第一封装结构、中介层、导热层以及第二封装结构。第一封装结构包括第一芯片以及第一绝缘密封体。第一绝缘密封体密封第一芯片且暴露出第一芯片的上表面。中介层配置于第一封装结构上，且与第一封装结构电性连接。导热层夹置于第一封装结构与中介层之间，且覆盖第一芯片的至少部分上表面。导热层与第一芯片以及中介层直接接触。第二封装结构配置于中介层上，且与中介层电性连接。本发明还提供一种封装堆栈构造的制造方法。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |