基本信息:
- 专利标题： 在後段產線處理期間形成以氮化鎵為基礎的電晶體的方法及設備
- 专利标题（英）：Methods and apparatus to form GaN-based transistors during back-end-of-line processing
- 专利标题（中）：在后段产线处理期间形成以氮化镓为基础的晶体管的方法及设备
- 申请号：TW106127136 申请日：2017-08-10
- 公开(公告)号：TW201814903A 公开(公告)日：2018-04-16
- 发明人： 拉多撒福傑維克 馬可 , RADOSAVLJEVIC, MARKO , 達斯古塔 山薩塔克 , DASGUPTA, SANSAPTAK , 陳 漢威 , THEN, HAN WUI
- 申请人： 美商英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 美商英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： PCT/US16/53976 20160927
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L21/328
摘要：
在後段產線處理期間形成以氮化鎵為基礎的電晶體的方法及設備被揭露。範例積體電路包括形成於第一半導體基板上之第一電晶體。範例積體電路包括形成於第一半導體基板上之介電材料。介電材料延伸越過第一電晶體。範例積體電路更包括形成於介電材料上之第二半導體基板。範例積體電路亦包括形成於第二半導體基板上之第二電晶體。
摘要（中）：
在后段产线处理期间形成以氮化镓为基础的晶体管的方法及设备被揭露。范例集成电路包括形成于第一半导体基板上之第一晶体管。范例集成电路包括形成于第一半导体基板上之介电材料。介电材料延伸越过第一晶体管。范例集成电路更包括形成于介电材料上之第二半导体基板。范例集成电路亦包括形成于第二半导体基板上之第二晶体管。
摘要（英）：
Methods and apparatus to form GaN-based transistors during back-end-of-line processing are disclosed. An example integrated circuit includes a first transistor formed on a first semiconductor substrate. The example integrated circuit includes a dielectric material formed on the first semiconductor substrate. The dielectric material extends over the first transistor. The example integrated circuit further includes a second semiconductor substrate formed on the dielectric material. The example integrated circuit also includes a second transistor formed on the second semiconductor substrate.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/778 | .....带有二维载流子气沟道的，如HEMT |