基本信息:
- 专利标题： 用於寬範圍溫度控制的加熱器基座組件
- 专利标题（英）：Heater pedestal assembly for wide range temperature control
- 专利标题（中）：用于宽范围温度控制的加热器基座组件
- 申请号：TW106129088 申请日：2017-08-28
- 公开(公告)号：TW201814823A 公开(公告)日：2018-04-16
- 发明人： 阿拉亞里 庫許克 , ALAYAVALLI, KAUSHIK , 波拉克里斯那 阿吉特 , BALAKRISHNA, AJIT , 巴魯札 桑傑夫 , BALUJA, SANJEEV , 班莎 阿米古莫 , BANSAL, AMIT KUMAR , 布薛 馬修詹姆士 , BUSCHE, MATTHEW JAMES , 羅莎亞凡利斯 君卡洛斯 , ROCHA-ALVAREZ, JUAN CARLOS , 史林尼法森 史瓦米奈森T , SRINIVASAN, SWAMINATHAN T. , 烏拉維 特賈斯 , ULAVI, TEJAS , 周 建華 , ZHOU, JIANHUA
- 申请人： 美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 62/398,310 20160922
- 主分类号： H01L21/683
- IPC分类号： H01L21/683 ; C23C16/54
摘要：
本揭露的實施一般係關於：半導體處理腔室，及更特定而言係關於：用於半導體處理腔室的加熱的支撐基座。在一實施方式中，一種基座組件被揭示，且該基座組件包含：一基板支撐件，該基板支撐件包含一介電材料且具有用於接收一基板的一支撐表面、一電阻性加熱器，該電阻性加熱器被封裝在該基板支撐件內、一空心軸，該空心軸於該軸的一第一端處耦接至該基板支撐件的一支撐構件，及一導熱材料，該導熱材料被設置在位於該支撐構件與該軸的該第一端之間的一介面處。
摘要（中）：
本揭露的实施一般系关于：半导体处理腔室，及更特定而言系关于：用于半导体处理腔室的加热的支撑基座。在一实施方式中，一种基座组件被揭示，且该基座组件包含：一基板支撑件，该基板支撑件包含一介电材料且具有用于接收一基板的一支撑表面、一电阻性加热器，该电阻性加热器被封装在该基板支撑件内、一空心轴，该空心轴于该轴的一第一端处耦接至该基板支撑件的一支撑构件，及一导热材料，该导热材料被设置在位于该支撑构件与该轴的该第一端之间的一界面处。
摘要（英）：
Implementations of the disclosure generally relate to a semiconductor processing chamber and, more specifically, a heated support pedestal for a semiconductor processing chamber. In one implementation, a pedestal assembly is disclosed and includes a substrate support comprising a dielectric material and having a support surface for receiving a substrate, a resistive heater encapsulated within the substrate support, a hollow shaft coupled to a support member of the substrate support at a first end of the shaft, and a thermally conductive material disposed at an interface between the support member and the first end of the shaft.
公开/授权文献:
- TWI671851B 用於寬範圍溫度控制的加熱器基座組件 公开/授权日：2019-09-11