基本信息:
- 专利标题： 用於半導體應用中三維NAND階梯結構的硬遮罩層
- 专利标题（英）：Hardmask layer for 3D NAND staircase structure in semiconductor applications
- 专利标题（中）：用于半导体应用中三维NAND阶梯结构的硬遮罩层
- 申请号：TW106118647 申请日：2017-06-06
- 公开(公告)号：TW201810376A 公开(公告)日：2018-03-16
- 发明人： 凡卡塔蘇巴拉馬尼恩 艾斯華倫納德 , VENKATASUBRAMANIAN, ESWARANAND , 羅伊 蘇史密辛哈 , ROY, SUSMIT SINGHA , 曼納 帕拉米特 , MANNA, PRAMIT , 馬禮克 亞伯希吉特巴蘇 , MALLICK, ABHIJIT BASU
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 李世章; 彭國洋
- 优先权： 15/175,880 20160607
- 主分类号： H01L21/033
- IPC分类号： H01L21/033 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L23/528 ; H01L27/11524 ; H01L27/11556 ; H01L27/1157 ; H01L27/11582
Embodiments of the present disclosure provide an apparatus and methods for forming a hardmask layer that may be utilized to transfer patterns or features to a film stack with accurate profiles and dimension control for manufacturing three dimensional (3D) stacked semiconductor devices. In one embodiment, a method of forming a hardmask layer on a substrate includes forming a seed layer comprising boron on a film stack disposed on a substrate by supplying a seed layer gas mixture in a processing chamber, forming a transition layer comprising born and tungsten on the seed layer by supplying a transition layer gas mixture in the processing chamber, and forming a bulk hardmask layer on the transition layer by supplying a main deposition gas mixture in the processing chamber.
公开/授权文献:
- TWI701714B 形成硬遮罩層的方法 公开/授权日：2020-08-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/033 | ...包括无机层的 |