基本信息:
- 专利标题： 半導體結構及其製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor structure and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：半导体结构及其制造方法
- 申请号：TW105133336 申请日：2016-10-14
- 公开(公告)号：TW201803038A 公开(公告)日：2018-01-16
- 发明人： 林柏均 , LIN, PO CHUN
- 申请人： 南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 申请人地址： 新北市
- 专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人地址： 新北市
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 15/203,055 20160706
- 主分类号： H01L23/16
- IPC分类号： H01L23/16 ; H01L23/18 ; H01L21/48 ; H01L21/50
摘要：
一種半導體結構包含一基板；設置該基板上方的一接墊；設置該基板上方且暴露該接墊之一暴露部分的一保護層；以及設置該接墊之該暴露部分上方的一凸塊。該凸塊包含一緩衝件及一導電層，該緩衝件位於該接墊之該暴露部分上方，該導電層環繞該緩衝件且電連接至該接墊。
摘要（中）：
一种半导体结构包含一基板；设置该基板上方的一接垫；设置该基板上方且暴露该接垫之一暴露部分的一保护层；以及设置该接垫之该暴露部分上方的一凸块。该凸块包含一缓冲件及一导电层，该缓冲件位于该接垫之该暴露部分上方，该导电层环绕该缓冲件且电连接至该接垫。
摘要（英）：
A semiconductor structure includes a substrate; a pad disposed over the substrate; a passivation disposed over the substrate and exposing a portion of the pad; and a bump disposed over the portion of the pad. The bump includes a buffering member disposed over the portion of the pad; and a conductive layer surrounding the buffering member and electrically connected to the pad.
公开/授权文献:
- TWI628752B 半導體結構及其製造方法 公开/授权日：2018-07-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/16 | .容器中的填充料或辅助构件，例如定心环 |