基本信息:
- 专利标题： 高電壓電晶體裝置及其製造方法
- 专利标题（英）：Method and apparatus for high voltage transistors
- 专利标题（中）：高电压晶体管设备及其制造方法
- 申请号：TW105134713 申请日：2016-10-27
- 公开(公告)号：TW201801154A 公开(公告)日：2018-01-01
- 发明人： 劉銘棋 , LIU, MING CHYI , 王培倫 , WANG, PEI-LUN , 曾元泰 , TSENG, YUAN-TAI , 張宇行 , CHANG, YU-HSING , 劉世昌 , LIU, SHIH-CHANG
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 陳長文; 馮博生
- 优先权： 15/079,855 20160324
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01L21/311 ; H01L21/3205 ; H01L21/3213 ; H01L21/768
A method includes forming a gate spacer along sidewalls of a gate structure, forming a source region and a drain region on opposite sides of the gate structure, wherein a sidewall of the source region is vertically aligned with a first sidewall of the gate spacer, depositing a dielectric layer over the substrate, depositing a conductive layer over the dielectric layer, patterning the dielectric layer and the conductive layer to form a field plate, wherein the dielectric layer comprises a horizontal portion extending from the second drain/source region to a second sidewall of the gate spacer and a vertical portion formed along the second sidewall of the gate spacer, forming a plurality of metal silicide layers by applying a salicide process to the conductive layer, the gate structure, the first drain/source region and the second drain/source region and forming contact plugs over the plurality of metal silicide layers.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |