基本信息:
- 专利标题： 沉積摻雜氧化矽的方法以及用於沉積摻雜氧化矽至基板上的原子層沉積製程
- 专利标题（英）：Method for depositing doped silicon oxide and atomic layer deposition process for depositing doped silicon oxide on substrate
- 专利标题（中）：沉积掺杂氧化硅的方法以及用于沉积掺杂氧化硅至基板上的原子层沉积制程
- 申请号：TW105109310 申请日：2012-11-01
- 公开(公告)号：TW201627520A 公开(公告)日：2016-08-01
- 发明人： 高牟礼昇 , TAKAMURE,NOBORU , 深澤篤穀 , FUKAZAWA,ATSUKI , 福田秀明 , FUKUDA,HIDEAKI , 尼斯卡嫩安提 , NISKANEN,ANTTI , 賀加蘇維 , HAUKKA,SUVI , 中野竜 , NAKANO,RYU , 難波邦年 , NAMBA,KUNITOSHI
- 申请人： ASM國際股份有限公司 , ASM INTERNATIONAL N.V.
- 专利权人： ASM國際股份有限公司,ASM INTERNATIONAL N.V.
- 当前专利权人： ASM國際股份有限公司,ASM INTERNATIONAL N.V.
- 代理人： 葉璟宗
- 优先权： 61/556,033 20111104;61/620,769 20120405
- 主分类号： C23C16/40
- IPC分类号： C23C16/40 ; C23C16/455
摘要：
本發明是關於一種藉由原子層沉積製程將摻雜氧化矽沉積在反應室內的基底上的方法。原子層沉積製程包括至少一次摻雜氧化矽沉積循環，其中摻雜氧化矽沉積循環的步驟如下所述。將基底與矽前驅物接觸。將基底與摻質前驅物接觸。自基底移除過量的矽前驅物與摻質前驅物。接著將基底與反應物種接觸以形成摻雜氧化矽。
摘要（中）：
本发明是关于一种借由原子层沉积制程将掺杂氧化硅沉积在反应室内的基底上的方法。原子层沉积制程包括至少一次掺杂氧化硅沉积循环，其中掺杂氧化硅沉积循环的步骤如下所述。将基底与硅前驱物接触。将基底与掺质前驱物接触。自基底移除过量的硅前驱物与掺质前驱物。接着将基底与反应物种接触以形成掺杂氧化硅。
摘要（英）：
The present disclosure relates to a method for depositing a doped silicon oxide on a substrate in a reaction chamber by an atomic layer deposition (ALD) process. The ALD process includes at least one doped silicon oxide deposition cycle, wherein the doped silicon oxide deposition cycle is described below. The substrate contacts with a silicon precursor. The substrate contacts with a dopant precursor. Excess silicon precursor and dopant precursor are removed from the substrate. The substrate subsequently contacts with a reactive species such that the doped silicon oxide is formed.
公开/授权文献:
- TWI606136B 沉積摻雜氧化矽的方法以及用於沉積摻雜氧化矽至基板上的原子層沉積製程 公开/授权日：2017-11-21