基本信息:
- 专利标题： 基於非線性鰭部的裝置
- 专利标题（英）：Non-linear fin-based devices
- 专利标题（中）：基于非线性鳍部的设备
- 申请号：TW104116075 申请日：2015-05-20
- 公开(公告)号：TW201604966A 公开(公告)日：2016-02-01
- 发明人： 迪亞斯 奈維爾 , DIAS, NEVILLE , 簡 嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯 瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 歐賴克法 羅曼 , OLAC-VAW, ROMAN W. , 張旭佑 , CHANG, HSU YU , 張婷 , CHANG, TING , 瑞瑪斯維米 瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 劉培基 , LIU, PEI CHI
- 申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： PCT/US14/44479 20140627
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331 ; H01L29/66
摘要：
實施方式包括裝置包含：非平面鰭部，具有第一部分、第二部分及第三部分，該第一部分、該第二部分及該第三部分各具有主軸及次軸且各相互單石；其中(a)該第一部分、該第二部分及該第三部分的該主軸相互平行，(b)該第一部分及該第二部分的該主軸相互非共線，(c)各該第一部分、該第二部分及該第三部分包含選自包括源極、汲極及通道的群組的電晶體的節點，(e)該第一部分、該第二部分及該第三部分包含至少一鰭部電晶體。其它實施方式於此敘述。
摘要（中）：
实施方式包括设备包含：非平面鳍部，具有第一部分、第二部分及第三部分，该第一部分、该第二部分及该第三部分各具有主轴及次轴且各相互单石；其中(a)该第一部分、该第二部分及该第三部分的该主轴相互平行，(b)该第一部分及该第二部分的该主轴相互非共线，(c)各该第一部分、该第二部分及该第三部分包含选自包括源极、汲极及信道的群组的晶体管的节点，(e)该第一部分、该第二部分及该第三部分包含至少一鳍部晶体管。其它实施方式于此叙述。
摘要（英）：
An embodiment includes an apparatus comprising: a non-planar fin having first, second, and third portions each having major and minor axes and each being monolithic with each other; wherein (a) the major axes of the first, second, and third portions are parallel with each other, (b) the major axes of the first and second portions are non-collinear with each other, (c) each of the first, second, and third portions include a node of a transistor selected from the group comprising source, drain, and channel, (e) the first, second, and third portions comprise at least one finFET. Other embodiments are described herein.
公开/授权文献:
- TWI556313B 基於非線性鰭部的裝置及其製造方法 公开/授权日：2016-11-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/33 | .....包括3个或更多电极的器件 |
| ------------------H01L21/331 | ......晶体管 |