基本信息:
- 专利标题： 用以製造半導體結構之方法及用於檢查複數覆蓋標記之系統
- 专利标题（英）：Method for fabricating a semiconductor structure and system for inspecting overlay marks
- 专利标题（中）：用以制造半导体结构之方法及用于检查复数覆盖标记之系统
- 申请号：TW103144919 申请日：2014-12-23
- 公开(公告)号：TW201543543A 公开(公告)日：2015-11-16
- 发明人： 林伯俊 , LIN, BO JIUN , 姚欣潔 , YAO, HSIN CHIEH , 陳海清 , CHEN, HAI CHING , 包天一 , BAO, TIEN I
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 14/138,743 20131223
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01L21/66
The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor structure. The method comprises providing a substrate and a patterned layer formed on the substrate, one or more overlay marks being formed on the patterned layer; performing a pre-film-formation overlay inspection using a bright field (BF) inspection tool to receive a pre-film-formation data on the one or more overlay marks on the patterned layer; forming one or more layers on the patterned layer; performing a post-film-formation overlay inspection using a dark field (DF) inspection tool to receive a post-film-formation data on the one or more overlay marks underlying the one or more layers; and determining whether the pre-film-formation data matches the post-film-formation data.
公开/授权文献:
- TWI553706B 用以製造半導體結構之方法及用於檢查複數覆蓋標記之系統 公开/授权日：2016-10-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |