基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及其形成方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and formation method thereof
- 专利标题（中）：半导体设备及其形成方法
- 申请号：TW103104686 申请日：2014-02-13
- 公开(公告)号：TW201513186A 公开(公告)日：2015-04-01
- 发明人： 吳常明 , WU, CHANG MING , 吳偉成 , WU, WEI CHENG , 劉世昌 , LIU, SHIH CHANG , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG , 莊 學理 , CHUANG, HARRY-HAK-LAY
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 14/040,055 20130927
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/336
摘要：
本發明是揭露一種半導體裝置及其形成方法，上述半導體裝置包含：一控制閘極結構，在一基底的上方；一記憶閘極結構，在上述基底的上方，其中一電荷儲存層是形成於上述控制閘極結構與上述記憶閘極結構之間；一第一間隔物，沿著上述記憶閘極結構的一側壁；一第二間隔物，在上述記憶閘極結構的一上表面的上方；一第一汲極/源極區，形成於上述基底中且鄰接於上述記憶閘極結構；以及一第二汲極/源極區，形成於上述基底中且鄰接於上述控制閘極結構。
摘要（中）：
本发明是揭露一种半导体设备及其形成方法，上述半导体设备包含：一控制闸极结构，在一基底的上方；一记忆闸极结构，在上述基底的上方，其中一电荷存储层是形成于上述控制闸极结构与上述记忆闸极结构之间；一第一间隔物，沿着上述记忆闸极结构的一侧壁；一第二间隔物，在上述记忆闸极结构的一上表面的上方；一第一汲极/源极区，形成于上述基底中且邻接于上述记忆闸极结构；以及一第二汲极/源极区，形成于上述基底中且邻接于上述控制闸极结构。
摘要（英）：
A semiconductor device and a formation method thereof is disclosed. The semiconductor device comprises a control gate structure over a substrate, a memory gate structure over the substrate, wherein a charge storage layer formed between the control gate structure and the memory gate structure, a first spacer along a sidewall of the memory gate structure, a second spacer over a top surface of the memory gate structure, a first drain/source region formed in the substrate and adjacent to the memory gate structure and a second drain/source region formed in the substrate and adjacent to the control gate structure.
公开/授权文献:
- TWI529785B 半導體裝置及其形成方法 公开/授权日：2016-04-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |