基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体设备
- 申请号：TW102149115 申请日：2013-12-30
- 公开(公告)号：TW201511214A 公开(公告)日：2015-03-16
- 发明人： 尾山幸史 , OYAMA, YUKIFUMI , 向田秀子 , MUKAIDA, HIDEKO , 福田昌利 , FUKUDA, MASATOSHI , 築山慧至 , TSUKIYAMA, SATOSHI , 深山真哉 , FUKAYAMA, SHINYA
- 申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 专利权人： 東芝股份有限公司,KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人： 東芝股份有限公司,KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 2013-185861 20130909
- 主分类号： H01L25/04
- IPC分类号： H01L25/04
摘要：
本發明提供一種可抑制因半導體晶片之變形引起之連接凸塊之應變之半導體裝置。 本發明之半導體裝置包括：第1半導體晶片，其具有第1主面及第2主面，該第2主面係與第1主面對向，且設置有第2電極；第2半導體晶片，其具有設置有與第2電極連接之第3電極之第3主面、及與第3主面對向之第4主面；及第1分隔件，其配置於第2、第3電極與第1、第2半導體晶片之外周面之間之區域，確保第1半導體晶片與第2半導體晶片之間隙。
摘要（中）：
本发明提供一种可抑制因半导体芯片之变形引起之连接凸块之应变之半导体设备。 本发明之半导体设备包括：第1半导体芯片，其具有第1主面及第2主面，该第2主面系与第1主面对向，且设置有第2电极；第2半导体芯片，其具有设置有与第2电极连接之第3电极之第3主面、及与第3主面对向之第4主面；及第1分隔件，其配置于第2、第3电极与第1、第2半导体芯片之外周面之间之区域，确保第1半导体芯片与第2半导体芯片之间隙。
摘要（英）：
According to one embodiment, a semiconductor device includes a first semiconductor chip having a first main surface and a second main surface which opposes the first main surface and on which a first electrode is mounted, a second semiconductor chip having a third main surface on which a second electrode connected to the first electrode is provided and a fourth main surface which opposes the third main surface, and a first spacer which is arranged in a region formed between the first and second electrodes and an outer peripheral surface of the first and second semiconductor chips, and ensures a gap between the first semiconductor chip and the second semiconductor chip.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |