基本信息:
- 专利标题： 使用膦所製造的量子點
- 专利标题（英）：Quantum dots made using phosphine
- 专利标题（中）：使用膦所制造的量子点
- 申请号：TW103109238 申请日：2014-03-14
- 公开(公告)号：TW201500275A 公开(公告)日：2015-01-01
- 发明人： 哈瑞斯 詹姆仕 , HARRIS, JAMES , 皮凱特 耐吉 , PICKETT, NIGEL , 艾薩德 阿伯都爾 雷漢 , IRSHAD, ABDUR-REHMAN , 泰福斯 馬丁 , DAVIS, MARTIN , 葛拉芙瑞 保羅 , GLARVEY, PAUL , 葛瑞斯帝 那塔利 , GRESTY, NATHALIE , 葉慈 希爾勒 , YATES, HEATHER
- 申请人： 納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
- 专利权人： 納諾柯技術有限公司,NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
- 当前专利权人： 納諾柯技術有限公司,NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 61/783,324 20130314
- 主分类号： C01B25/00
- IPC分类号： C01B25/00 ; C30B29/10 ; C30B7/00 ; C30B7/14 ; B82B3/00 ; B82Y40/00
摘要：
本發明揭示藉由使一或多種核心半導體前體與膦在分子團簇化合物之存在下反應來產生量子點(QD)之方法。該(等)核心半導體前體提供納入該QD核心半導體材料中之元素。該核心半導體亦納入由該膦提供之磷。該膦可以氣體形式提供至該反應，或另一選擇為可以另一材料之加合物形式提供。
摘要（中）：
本发明揭示借由使一或多种内核半导体前体与膦在分子团簇化合物之存在下反应来产生量子点(QD)之方法。该(等)内核半导体前体提供纳入该QD内核半导体材料中之元素。该内核半导体亦纳入由该膦提供之磷。该膦可以气体形式提供至该反应，或另一选择为可以另一材料之加合物形式提供。
摘要（英）：
A process is disclosed for producing quantum dots (QDs) by reacting one or more core semiconductor precursors with phosphine in the presence of a molecular cluster compound. The core semiconductor precursor(s) provides elements that are incorporated into the QD core semiconductor material. The core semiconductor also incorporates phosphorus, which is provided by the phosphine. The phosphine may be provided to the reaction as a gas or may, alternatively, be provided as an adduct of another material.
公开/授权文献:
- TWI537206B 使用膦所製造的量子點 公开/授权日：2016-06-11