基本信息:
- 专利标题： 具有抵抗電漿傷害之先進銲墊結構的半導體元件及其製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and method for forming the same
- 专利标题（中）：具有抵抗等离子伤害之雪铁龙焊垫结构的半导体组件及其制造方法
- 申请号：TW102121915 申请日：2013-06-20
- 公开(公告)号：TW201436117A 公开(公告)日：2014-09-16
- 发明人： 王泓智 , WANG, HUNG CHIH , 梁耀祥 , LIANG, YAOHSIANG
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 13/792,744 20130311
- 主分类号： H01L23/12
- IPC分类号： H01L23/12 ; H01L23/48
摘要：
本發明係有關於一種焊接半導體元件之連接結構及其製造方法。此焊接結構包括鋁墊結構(即，厚的含鋁連接墊)，以及含鋁連接墊下方的次結構，其中此次結構包括至少一前金屬層以及一阻障層。上述之前金屬層為緻密材料層，前金屬層之密度大於阻障層，且前金屬層為表面粗糙度低的薄膜。高密度的前金屬層可避免電漿傷害使下方的介電材料產生電荷或破壞下方的半導體元件。
摘要（中）：
本发明系有关于一种焊接半导体组件之连接结构及其制造方法。此焊接结构包括铝垫结构(即，厚的含铝连接垫)，以及含铝连接垫下方的次结构，其中此次结构包括至少一前金属层以及一阻障层。上述之前金属层为致密材料层，前金属层之密度大于阻障层，且前金属层为表面粗糙度低的薄膜。高密度的前金属层可避免等离子伤害使下方的介电材料产生电荷或破坏下方的半导体组件。
摘要（英）：
A connective structure for bonding semiconductor devices and methods for forming the same are provided. The bonding structure includes an Alpad structure, i.e., a thick aluminum-containing connective pad, and a substructure beneath the aluminum-containing pad that includes at least a pre-metal layer and a barrier layer. The pre-metal layer is a dense material layer and includes a density greater than the barrier layer and is a low surface roughness film. The high density pre-metal layer prevents plasma damage from producing charges in underlying dielectric materials or destroying subjacent semiconductor devices.
公开/授权文献:
- TWI490987B 具有抵抗電漿傷害之先進銲墊結構的半導體元件及其製造方法 公开/授权日：2015-07-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/12 | .安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底 |