基本信息:
- 专利标题： 用於半導體結構的保護結構及形成用於半導體佈局圖案的保護佈局圖案的方法
- 专利标题（英）：Guard structure for semiconductor structure and method of forming guard layout pattern for semiconductor layout pattern
- 专利标题（中）：用于半导体结构的保护结构及形成用于半导体布局图案的保护布局图案的方法
- 申请号：TW102149400 申请日：2013-12-31
- 公开(公告)号：TW201434135A 公开(公告)日：2014-09-01
- 发明人： 洪照俊 , HORNG, JAW JUINN , 葉人豪 , YEH, JEN HAO , 楊富智 , YANG, FU CHIH , 陳重輝 , CHEN, CHUNG HUI
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 蔡清福; 蔡馭理
- 优先权： 13/781,615 20130228
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L23/60 ; H01L29/78
摘要：
提供了一種用於半導體結構的保護結構。該保護結構包括第一保護環、第二保護環以及第三保護環。該第一保護環具有第一導電性類型。該第二保護環具有第二導電性類型，並圍繞該第一保護環。該第三保護環具有該第一導電性類型，並圍繞該第二保護環，其中該第一、第二以及第三保護環接地。也提供了一種形成用於半導體佈局圖案的保護佈局圖案的方法。
摘要（中）：
提供了一种用于半导体结构的保护结构。该保护结构包括第一保护环、第二保护环以及第三保护环。该第一保护环具有第一导电性类型。该第二保护环具有第二导电性类型，并围绕该第一保护环。该第三保护环具有该第一导电性类型，并围绕该第二保护环，其中该第一、第二以及第三保护环接地。也提供了一种形成用于半导体布局图案的保护布局图案的方法。
摘要（英）：
A guard structure for a semiconductor structure is provided. The guard structure includes a first guard ring, a second guard ring and a third guard ring. The first guard ring has a first conductivity type. The second guard ring has a second conductivity type, and surrounds the first guard ring. The third guard ring has the first conductivity type, and surrounds the second guard ring, wherein the first, the second and the third guard rings are grounded. A method of forming a guard layout pattern for a semiconductor layout pattern is also provided.
公开/授权文献:
- TWI559496B 用於半導體結構的保護結構及形成用於半導體佈局圖案的保護佈局圖案的方法 公开/授权日：2016-11-21