基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
- 专利标题（英）：A semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体设备及半导体设备之制造方法
- 申请号：TW102100311 申请日：2013-01-04
- 公开(公告)号：TW201347185A 公开(公告)日：2013-11-16
- 发明人： 砂村潤 , SUNAMURA, HIROSHI , 井上尚也 , INOUE, NAOYA , 金子貴昭 , KANEKO, KISHOU
- 申请人： 瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 代理人： 周良謀; 周良吉
- 优先权： 2012-021069 20120202
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28
摘要：
本發明之目的在於提升設於多層配線層內之半導體元件的性能。本發明之半導體裝置包含：配線102，設於配線層100；配線202，設於疊層於配線層100上之配線層200；閘極電極20，在配線層100與配線層200的疊層方向中位於配線102與配線202之間，且未與配線102及配線202相連接；閘極絕緣膜22，設於閘極電極20的側面上；及半導體層24，隔著閘極絕緣膜22設於閘極電極20的側面上，且與配線102及配線202相連接。
摘要（中）：
本发明之目的在于提升设于多层配线层内之半导体组件的性能。本发明之半导体设备包含：配线102，设于配线层100；配线202，设于叠层于配线层100上之配线层200；闸极电极20，在配线层100与配线层200的叠层方向中位于配线102与配线202之间，且未与配线102及配线202相连接；闸极绝缘膜22，设于闸极电极20的侧面上；及半导体层24，隔着闸极绝缘膜22设于闸极电极20的侧面上，且与配线102及配线202相连接。
摘要（英）：
The performances of semiconductor elements disposed in a multilayer wiring layer are improved. A semiconductor device includes: a first wire disposed in a first wiring layer; a second wire disposed in a second wiring layer stacked over the first wiring layer; a gate electrode arranged between the first wire and the second wire in the direction of stacking of the first wiring layer and the second wiring layer, and not coupled with the first wire and the second wire; a gate insulation film disposed over the side surface of the gate electrode; and a semiconductor layer disposed over the side surface of the gate electrode via the gate insulation film, and coupled with the first wire and the second wire.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |