基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体设备及半导体设备之制造方法
- 申请号：TW101146733 申请日：2012-12-11
- 公开(公告)号：TW201342562A 公开(公告)日：2013-10-16
- 发明人： 井上尚也 , INOUE, NAOYA , 金子貴昭 , KANEKO, KISHOU , 林喜宏 , HAYASHI, YOSHIHIRO
- 申请人： 瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 代理人： 周良謀; 周良吉
- 优先权： 2011-275182 20111216
- 主分类号： H01L23/52
- IPC分类号： H01L23/52 ; H01L21/28
摘要：
本發明提供一種於多層配線層中設置主動元件，使晶片面積縮小的半導體裝置。其中，第2配線層400設置於第1配線層300上。第1層間絕緣層310設置於第1配線層300。半導體層460設置於第2配線層400，與第1層間絕緣層310接觸。閘極絕緣層470設置於半導體層460上。閘極電極450設置於閘極絕緣層470上。至少二個第1介層340設置於第1配線層300，透過上端與半導體層460接觸。
摘要（中）：
本发明提供一种于多层配线层中设置主动组件，使芯片面积缩小的半导体设备。其中，第2配线层400设置于第1配线层300上。第1层间绝缘层310设置于第1配线层300。半导体层460设置于第2配线层400，与第1层间绝缘层310接触。闸极绝缘层470设置于半导体层460上。闸极电极450设置于闸极绝缘层470上。至少二个第1介层340设置于第1配线层300，透过上端与半导体层460接触。
摘要（英）：
Disclosed is a semiconductor device provided with an active element in a multilayer interconnect layer and decreased in a chip area. A second interconnect layer is provided over a first interconnect layer. A first interlayer insulating layer is provided in the first interconnect layer. A semiconductor layer is provided in a second interconnect layer and in contact with the first interlayer insulating layer. A gate insulating film is provided over the semiconductor layer. A gate electrode is provided over the gate insulating film. At least two first vias are provided in the first interconnect layer and in contact by way of upper ends thereof with the semiconductor layer.
公开/授权文献:
- TWI566363B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 公开/授权日：2017-01-11
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/52 | .用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置 |