基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
- 专利标题（英）：A semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体设备及半导体设备之制造方法
- 申请号：TW102100314 申请日：2013-01-04
- 公开(公告)号：TW201336049A 公开(公告)日：2013-09-01
- 发明人： 砂村潤 , SUNAMURA, HIROSHI , 井上尚也 , INOUE, NAOYA , 金子貴昭 , KANEKO, KISHOU
- 申请人： 瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 代理人： 周良謀; 周良吉
- 优先权： 2012-021073 20120202
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L29/78
摘要：
本發明之目的在於提供一種半導體裝置，其容易製造，且具備彼此特性相異的二個電晶體。為了達成上述目的，本發明之半導體裝置包含：基板；多層配線層，其設置於基板上；電晶體14，其設置於多層配線層；以及電晶體15，其設置於與多層配線層之中設置了電晶體14的該層相異之層，且具有與電晶體14相異之特性。藉此，便可提供一種半導體裝置，其容易製造，且具備彼此特性相異的二個電晶體。
摘要（中）：
本发明之目的在于提供一种半导体设备，其容易制造，且具备彼此特性相异的二个晶体管。为了达成上述目的，本发明之半导体设备包含：基板；多层配线层，其设置于基板上；晶体管14，其设置于多层配线层；以及晶体管15，其设置于与多层配线层之中设置了晶体管14的该层相异之层，且具有与晶体管14相异之特性。借此，便可提供一种半导体设备，其容易制造，且具备彼此特性相异的二个晶体管。
摘要（英）：
There is provided a readily manufacturable semiconductor device including two transistors having mutually different characteristics. The semiconductor device includes a substrate, a multilayer wiring layer disposed over the substrate, a first transistor disposed in the multilayer wiring layer, and a second transistor disposed in a layer different from a layer including the first transistor disposed therein of the multilayer wiring layer, and having different characteristics from those of the first transistor. This can provide a readily manufacturable semiconductor device including two transistors having mutually different characteristics.
公开/授权文献:
- TWI575710B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 公开/授权日：2017-03-21
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |
| ------------------H01L27/092 | ......互补MIS场效应晶体管 |