基本信息:
- 专利标题： 太陽能電池之無罩幕摻雜技術 MASKLESS DOPING TECHNIQUE FOR SOLAR CELLS
- 专利标题（英）：Method of implanting ions and method of varying ion beam transmission in an ion implantation system
- 专利标题（中）：太阳能电池之无罩幕掺杂技术 MASKLESS DOPING TECHNIQUE FOR SOLAR CELLS
- 申请号：TW098107130 申请日：2009-03-05
- 公开(公告)号：TW200947533A 公开(公告)日：2009-11-16
- 发明人： 古普塔 阿塔爾 , 貝特曼 尼可拉斯P T , 墨菲 保羅J , 雷諾 安東尼 , 卡爾森 查理斯T
- 申请人： 瓦里安半導體設備公司
- 申请人地址： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. 美國 US
- 专利权人： 瓦里安半導體設備公司
- 当前专利权人： 瓦里安半導體設備公司
- 当前专利权人地址： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. 美國 US
- 代理人： 詹銘文; 蕭錫清
- 优先权： 美國 61/033,873 20080305 美國 61/074,278 20080620 美國 12/200,117 20080828
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L ; H01J
A improved, lower cost method of producing solar cells utilizing selective emitter design is disclosed. The contact regions are created on the substrate without the use of lithography or masks. The method utilizes ion implantation technology, and the relatively low accuracy requirements of the contact regions to reduce the process steps needed to produce a solar cell. In some embodiments, the current of the ion beam is selectively modified to create the highly doped contact regions. In other embodiments, the ion beam is focused, either through the use of an aperture or via adjustments to the beam line components to create the necessary doping profile. In still other embodiments, the wafer scan rate is modified to create the desired ion implantation pattern.