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1. 发明专利

TWI443706B 基板處理系統、粒子處理系統及測量粒子束特性的裝置及其方法有权
简体标题：基板处理系统、粒子处理系统及测量粒子束特性的设备及其方法
公开(公告)号：TWI443706B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW098104476
申请日：2009-02-12
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：歐爾森約瑟C , OLSON, JOSEPH C. , 古普塔阿塔爾 , GUPTA, ATUL
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244 , H01L21/66
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542

2. 发明专利

TW201142906A 可控制地植入工件的裝置與方法 APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLABLY IMPLANTING WORKPIECES 失效
简体标题：可控制地植入工件的设备与方法 APPARATUS AND METHOD FOR CONTROLLABLY IMPLANTING WORKPIECES
公开(公告)号：TW201142906A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099139576
申请日：2010-11-17
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：雷諾安東尼 , 葛特盧多維克 , 米勒提摩太J , 歐爾森約瑟C , 辛維克拉姆 , 布諾德諾詹姆士 , 瑞曼帕迪帕克A , 羅拉塞爾J , 古普塔阿塔爾 , 丹尼爾斯凱文M
IPC分类号： H01J , H01L
CPC分类号： B01J19/081 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J2237/0453 , H01J2237/1205 , H01L21/2236 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/08 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種電漿處理裝置包括電漿源,所述電漿源經組態以在電漿腔室中產生電漿,以使得所述電漿含有用於植入至工件中之離子。所述裝置亦包含具有孔隙配置之聚焦板配置,所述聚焦板配置經組態以修改接近所述聚焦板之所述電漿之電漿外鞘的形狀,以使得離開所述孔隙配置之孔隙的離子界定聚焦離子。所述裝置更包含與所述聚焦板隔開的含有工件之處理腔室,以使得在所述工件處之所述聚焦離子之固定植入區域實質上比所述孔隙窄。所述裝置經組態以藉由在離子植入期間掃描所述工件而在所述工件中形成多個圖案化區。
简体摘要：一种等离子处理设备包括等离子源,所述等离子源经组态以在等离子腔室中产生等离子,以使得所述等离子含有用于植入至工件中之离子。所述设备亦包含具有孔隙配置之聚焦板配置,所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板之所述等离子之等离子外鞘的形状,以使得离开所述孔隙配置之孔隙的离子界定聚焦离子。所述设备更包含与所述聚焦板隔开的含有工件之处理腔室,以使得在所述工件处之所述聚焦离子之固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述设备经组态以借由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。

3. 发明专利

TWI344322B 改善帶狀離子束之均一性的技術 TECHNIQUE FOR IMPROVING UNIFORMITY OF A RIBBON BEAM 有权
简体标题：改善带状离子束之均一性的技术 TECHNIQUE FOR IMPROVING UNIFORMITY OF A RIBBON BEAM
公开(公告)号：TWI344322B
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：TW096102033
申请日：2007-01-19
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：波什肯尼士H , 古普塔阿塔爾
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/147 , H01J37/3007 , H01J2237/1501 , H01J2237/152 , H01J2237/30477 , H01J2237/31701
摘要：本發明揭露一種用於改善帶狀離子束之均一性的技術。在一特定例示性實施例中，裝置可包含第一修正器條總成以及第二修正器條總成，其中第二修正器條總成位於距第一修正器條總成一段預定距離處。第一修正器條總成中之第一多個線圈中之每一個可經個別地激勵以使帶狀離子束中之至少一細離子束偏轉，藉此使細離子束以所要空間擴展來到達第二修正器條總成。第二修正器條總成中之第二多個線圈中之每一個可經個別地激勵以使帶狀離子束中之一或多個細離子束進一步偏轉，藉此使細離子束以所要角度離開第二修正器條總成。
简体摘要：本发明揭露一种用于改善带状离子束之均一性的技术。在一特定例示性实施例中，设备可包含第一修正器条总成以及第二修正器条总成，其中第二修正器条总成位于距第一修正器条总成一段预定距离处。第一修正器条总成中之第一多个线圈中之每一个可经个别地激励以使带状离子束中之至少一细离子束偏转，借此使细离子束以所要空间扩展来到达第二修正器条总成。第二修正器条总成中之第二多个线圈中之每一个可经个别地激励以使带状离子束中之一或多个细离子束进一步偏转，借此使细离子束以所要角度离开第二修正器条总成。

4. 发明专利

TW201138145A 指叉型背面接觸太陽電池用的自我對準離子植入 SELF-ALIGNED ION IMPLANTATION FOR IBC SOLAR CELLS 审中-公开
简体标题：指叉型背面接触太阳电池用的自我对准离子植入 SELF-ALIGNED ION IMPLANTATION FOR IBC SOLAR CELLS
公开(公告)号：TW201138145A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW100105483
申请日：2011-02-18
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：古普塔阿塔爾 , 貝特曼尼可拉斯P T
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種對基板進行摻雜的改良方法。此方法尤其有利於形成指叉型背面接觸太陽電池。將含有第一導電性之摻質的糊劑塗敷在基板的表面上。此糊劑是用作遮罩以執行後續的離子植入步驟,使得具有相反導電性之摻質的離子能夠進入到基板的暴露的部位中。植入離子後,可移除遮罩,且可對摻質進行活化。揭露了使用以鋁為主和以磷為主的糊劑的方法。
简体摘要：一种对基板进行掺杂的改良方法。此方法尤其有利于形成指叉型背面接触太阳电池。将含有第一导电性之掺质的煳剂涂敷在基板的表面上。此煳剂是用作遮罩以运行后续的离子植入步骤,使得具有相反导电性之掺质的离子能够进入到基板的暴露的部位中。植入离子后,可移除遮罩,且可对掺质进行活化。揭露了使用以铝为主和以磷为主的煳剂的方法。

5. 发明专利

TW200952024A 測量粒子束特性之裝置及其方法 APPARATUS FOR MEASURING BEAM CHARACTERISTICS AND A METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：测量粒子束特性之设备及其方法 APPARATUS FOR MEASURING BEAM CHARACTERISTICS AND A METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200952024A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098104476
申请日：2009-02-12
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：歐爾森約瑟C , 古普塔阿塔爾
IPC分类号： H01J , H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24528 , H01J2237/24542
摘要：揭露一種偵測粒子束特色之裝置及其方法。在一實施例中，裝置可以具有包括第一端與第二端的主體以及位於第一端與第二端之間的至少一偵測器。裝置可以具有透明度狀態，也就是進入裝置的一部分的粒子可以通過裝置的狀態。裝置也可以具有最小透明度狀態，也就是避免實質上進入裝置的所有粒子通過裝置且偵測粒子的狀態。可以藉由轉動裝置或包含於裝置中的偵測器來達到不同的透明度狀態。有可能使用此裝置來偵測粒子束特性，諸如粒子束強度、角度、平行度以及粒子束中的粒子的分佈。
简体摘要：揭露一种侦测粒子束特色之设备及其方法。在一实施例中，设备可以具有包括第一端与第二端的主体以及位于第一端与第二端之间的至少一侦测器。设备可以具有透明度状态，也就是进入设备的一部分的粒子可以通过设备的状态。设备也可以具有最小透明度状态，也就是避免实质上进入设备的所有粒子通过设备且侦测粒子的状态。可以借由转动设备或包含于设备中的侦测器来达到不同的透明度状态。有可能使用此设备来侦测粒子束特性，诸如粒子束强度、角度、平行度以及粒子束中的粒子的分布。

6. 发明专利

TW200947533A 太陽能電池之無罩幕摻雜技術 MASKLESS DOPING TECHNIQUE FOR SOLAR CELLS 审中-公开
简体标题：太阳能电池之无罩幕掺杂技术 MASKLESS DOPING TECHNIQUE FOR SOLAR CELLS
公开(公告)号：TW200947533A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098107130
申请日：2009-03-05
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：古普塔阿塔爾 , 貝特曼尼可拉斯P T , 墨菲保羅J , 雷諾安東尼 , 卡爾森查理斯T
IPC分类号： H01L , H01J
摘要：一種佈植離子進入基板中以產生不均勻的摻雜劑量且在基板上無固定罩幕層的方法如下所述。首先，提供一離子佈植系統以形成一離子束，該離子束的一第一尺寸大於該離子束的一第二尺寸。接著，將該基板的一第一部分暴露於該離子束中。然後，佈植一第一離子劑量於該第一部份中。之後，將該基板的一第二部分暴露於該離子束中。然後，佈植一第二離子劑量於該第二部分中，其中該第二離子劑量不同於該第一離子劑量。
简体摘要：一种布植离子进入基板中以产生不均匀的掺杂剂量且在基板上无固定罩幕层的方法如下所述。首先，提供一离子布植系统以形成一离子束，该离子束的一第一尺寸大于该离子束的一第二尺寸。接着，将该基板的一第一部分暴露于该离子束中。然后，布植一第一离子剂量于该第一部份中。之后，将该基板的一第二部分暴露于该离子束中。然后，布植一第二离子剂量于该第二部分中，其中该第二离子剂量不同于该第一离子剂量。

8. 发明专利

TWI390581B 離子束角度擴散控制的技術有权
简体标题：离子束角度扩散控制的技术
公开(公告)号：TWI390581B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW095120176
申请日：2006-06-07
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：古普塔阿塔爾 , GUPTA, ATUL , 歐爾森約瑟C. , OLSON, JOSEPH C.
IPC分类号： H01J37/302 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/304 , H01J37/1477 , H01J37/3171 , H01J2237/1507 , H01J2237/3045 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L21/26586

9. 发明专利

TW201237920A 利用離子植入的ＬＥＤ台面側壁隔離 LED MESA SIDEWALL ISOLATION BY ION IMPLANTATION 审中-公开
简体标题：利用离子植入的ＬＥＤ台面侧壁隔离 LED MESA SIDEWALL ISOLATION BY ION IMPLANTATION
公开(公告)号：TW201237920A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW101104248
申请日：2012-02-09
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：俞森 , 古普塔阿塔爾
IPC分类号： H01J , H01L
CPC分类号： H01L33/44 , H01L21/2654 , H01L21/26586 , H01L33/0095 , H01L2933/0025
摘要：本發明揭露一種製造發光二極體的方法。一層塗佈層將應用於一台面上。與台面頂部的塗佈層比較,在台面之側壁上的塗佈層可具有不同的厚度。在某些實施例中,當離子植入植進台面時,植入區域在側壁中形成。這些植入區域可用於發光二極體的隔離或保護。
简体摘要：本发明揭露一种制造发光二极管的方法。一层涂布层将应用于一台面上。与台面顶部的涂布层比较,在台面之侧壁上的涂布层可具有不同的厚度。在某些实施例中,当离子植入植进台面时,植入区域在侧壁中形成。这些植入区域可用于发光二极管的隔离或保护。

10. 发明专利

TW201220369A 離子植入基板的方法、利用不同圖案執行多重離子植入多個基板的方法及載具 METHOD OF IMPLANTING IONS INTO A SUBSTRATE, METHOD OF PERFORMING MULTIPLE ION IMPLANTS USING DIFFERENT PATTERNS TO A PLURALITY OF SUBSTRATES, AND A CARRIER 审中-公开
简体标题：离子植入基板的方法、利用不同图案运行多重离子植入多个基板的方法及载具 METHOD OF IMPLANTING IONS INTO A SUBSTRATE, METHOD OF PERFORMING MULTIPLE ION IMPLANTS USING DIFFERENT PATTERNS TO A PLURALITY OF SUBSTRATES, AND A CARRIER
公开(公告)号：TW201220369A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：TW100135285
申请日：2011-09-29
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：貝特曼尼可拉斯P T , 丹尼爾斯凱文M , 古普塔阿塔爾 , 洛羅素J , 里歐登班杰明B , 米歇爾羅伯特J , 恩爾拉史蒂芬M
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/677 , H01J37/3171 , H01J2237/31711 , H01L21/68735 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明揭露了一個改良的,製作基板的較低成本方法以便去創造太陽能電池。此外,還揭露了一個改良的基板載具。用以運載基板的載具通常會被改良,以便來當作圖案化植入(pattern implant)的遮蔽光罩(shadow masks)。在一些實施例中,各種圖案能夠利用載具產生而出,使得可藉由改變載具或載具的位置來執行在基板上不同的製程步驟。另外,因為基板對載具校準之重要性,所以載具包括了校準特徵來確保基板能夠在載具上適當地定位好。在一些實施例中,重力會被用來支撐配置在載具上的基板,而且會導正離子以便使離子束向上往朝向載具的底部表面經過。
简体摘要：本发明揭露了一个改良的,制作基板的较低成本方法以便去创造太阳能电池。此外,还揭露了一个改良的基板载具。用以运载基板的载具通常会被改良,以便来当作图案化植入(pattern implant)的屏蔽光罩(shadow masks)。在一些实施例中,各种图案能够利用载具产生而出,使得可借由改变载具或载具的位置来运行在基板上不同的制程步骤。另外,因为基板对载具校准之重要性,所以载具包括了校准特征来确保基板能够在载具上适当地定位好。在一些实施例中,重力会被用来支撑配置在载具上的基板,而且会导正离子以便使离子束向上往朝向载具的底部表面经过。

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