基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for manufacturing the same
- 专利标题（中）：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
- 申请号：TW094104328 申请日：2005-02-15
- 公开(公告)号：TW200531267A 公开(公告)日：2005-09-16
- 发明人： 太田宗吾 OHTA, SOUGO
- 申请人： 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人： 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 林鎰珠
- 优先权： 日本 JP2004-038909 20040216
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
一種半導體裝置，係具備：半導體基板；設置於半導體基板的一主面的元件分離膜；配置於該元件分離膜上之配線；形成於該半導體基板內且配置於該元件分離膜附近之擴散層；以及自該半導體基板的該一主面側覆蓋該擴散層之絕緣膜；該絕緣膜係進一步將該元件分離膜之該擴散層附近之部分加以覆蓋，並與該配線之擴散層側之側面鄰接。
摘要（中）：
一种半导体设备，系具备：半导体基板；设置于半导体基板的一主面的组件分离膜；配置于该组件分离膜上之配线；形成于该半导体基板内且配置于该组件分离膜附近之扩散层；以及自该半导体基板的该一主面侧覆盖该扩散层之绝缘膜；该绝缘膜系进一步将该组件分离膜之该扩散层附近之部分加以覆盖，并与该配线之扩散层侧之侧面邻接。
摘要（英）：
A semiconductor device includes a semiconductor substrate, an isolation film that is provided in one principal surface of the semiconductor substrate, wiring that is arranged on the isolation film, a diffusion layer that is formed inside the semiconductor substrate and located in the vicinity of the isolation film, and an insulating film that covers the diffusion layer over the one principal surface of the semiconductor substrate. The insulating film further covers a portion of the isolation film near to the diffusion layer and comes into contact with the side of the wiring near to the diffusion layer.