基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置以及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for fabricating the same
- 专利标题（中）：半导体设备以及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
- 申请号：TW092106162 申请日：2003-03-20
- 公开(公告)号：TW200305199A 公开(公告)日：2003-10-16
- 发明人： 青木成剛 SHIGETAKA AOKI , 齋藤徹 TORU SAITO , 能澤 克彌 KATSUYA NOZAWA
- 申请人： 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人： 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 陳長文
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明係提供一種半導體裝置以及其製造方法。在集電極開口部上，磊晶生長由Si緩衝層、SiGe隔離層、傾斜SiGe層以及Si覆蓋層所構成之Si/SiGe層，同時在氮化膜上之面上和氧化膜以及氮化膜之側面上沉積多結晶層。此時，通過制成Si緩衝層之後制成SiGe隔離層等膜，確實進行非選擇磊晶生長，併在氮化膜上又沉積多結晶層。
摘要（中）：
本发明系提供一种半导体设备以及其制造方法。在集电极开口部上，磊晶生长由Si缓冲层、SiGe隔离层、倾斜SiGe层以及Si覆盖层所构成之Si/SiGe层，同时在氮化膜上之面上和氧化膜以及氮化膜之侧面上沉积多结晶层。此时，通过制成Si缓冲层之后制成SiGe隔离层等膜，确实进行非选择磊晶生长，并在氮化膜上又沉积多结晶层。
摘要（英）：
An Si/SiGe layer including an Si buffer layer, an SiGe spacer layer, a graded SiGe layer and an Si cap layer is epitaxially grown in a region corresponding to a collector opening while a polycrystalline layer is deposited on the upper surface of a nitride film, and side surfaces of an oxide film and the nitride film. In this case, the Si buffer layer is formed first and then other layers such as the SiGe spacer layer are formed, thereby ensuring non-selective epitaxial growth. Then, a polycrystalline layer is deposited over the nitride film.