基本信息:
- 专利标题： 핵생성 억제를 사용하는 텅스텐 피처 충진
- 专利标题（英）：TUNGSTEN FEATURE FILL WITH NUCLEATION INHIBITION
- 申请号：KR1020147029798 申请日：2013-03-20
- 公开(公告)号：KR102100520B1 公开(公告)日：2020-04-14
- 发明人： 찬드라쉐카아난드 , 젱에스터 , 후마윤라쉬나 , 다넥마이클 , 가오주웬 , 왕드어치
- 申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Cushing Parkway, Fremont, California ***** United States of America
- 专利权人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Cushing Parkway, Fremont, California ***** United States of America
- 代理人： 특허법인인벤싱크
- 优先权： US13/774,350 2013-02-22; US61/616,377 2012-03-27; US61/737,419 2012-12-14
- 国际申请： PCT/US2013/033174 2013-03-20
- 国际公布： WO2013148444 2013-10-03
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/205 ; H01L21/31
公开/授权文献:
- KR1020140143202A 핵생성 억제를 사용하는 텅스텐 피처 충진 公开/授权日：2014-12-15
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |