基本信息:
- 专利标题： 반도체 소자 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method of manufacturing the same
- 申请号：KR1020130027261 申请日：2013-03-14
- 公开(公告)号：KR102054226B1 公开(公告)日：2019-12-10
- 发明人： 이창현 , 김현중 , 장동훈 , 파이루신알버트
- 申请人： 삼성전자주식회사
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 박영우
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247
公开/授权文献:
- KR1020140112771A 반도체 소자 및 그 제조 방법 公开/授权日：2014-09-24
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |