基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치의 제조 방법
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
- 申请号：KR1020147021411 申请日：2013-02-05
- 公开(公告)号：KR102038608B1 公开(公告)日：2019-10-30
- 发明人： 가와마타마사야 , 혼다마사노부
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인엠에이피에스
- 优先权： US61/603,405 2012-02-27; JPJP-P-2012-033372 2012-02-17
- 国际申请： PCT/JP2013/052633 2013-02-05
- 国际公布： WO2013121936 2013-08-22
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/3213 ; H01L21/336 ; H01L21/768 ; H01L21/8247 ; H01L27/115 ; H01L29/788 ; H01L29/792
公开/授权文献:
- KR1020140125370A 반도체 장치의 제조 방법 公开/授权日：2014-10-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |