发明公开
KR20180046385A 테트라카르복실산디에스테르 화합물, 폴리이미드 전구체의 중합체 및 그 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 및 경화 피막 형성 방법
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基本信息:
- 专利标题： 테트라카르복실산디에스테르 화합물, 폴리이미드 전구체의 중합체 및 그 제조 방법, 네거티브형 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법, 및 경화 피막 형성 방법
- 专利标题（英）：KR20180046385A - Tetracarboxylic acid diester compound, polymer of polyimide precursor and method for producing same, negative photosensitive resin composition, patterning process, and method for forming cured film
- 申请号：KR20170141361 申请日：2017-10-27
- 公开(公告)号：KR20180046385A 公开(公告)日：2018-05-08
- 优先权： JP2016210865 2016-10-27
- 主分类号： C07F7/08
- IPC分类号： C07F7/08 ; C08G73/10 ; G03F7/038 ; G03F7/26 ; G03F7/32 ; G03F7/40
摘要：
[요약] 본발명은, 미세한패턴을형성가능하고고해상도를얻을수 있는네거티브형감광성수지조성물의베이스수지로서이용할수 있는폴리이미드전구체의중합체를유도할수 있는테트라카르복실산디에스테르화합물, 이테트라카르복실산디에스테르화합물을이용하여얻어지는폴리이미드전구체의중합체및 그제조방법을제공한다. [해결수단] 하기일반식 (1)로표시되는것을특징으로하는테트라카르복실산디에스테르화합물.(식중, X은 4가의유기기이고, R은하기일반식 (2)로표시되는기이다.)(식중, 점선은결합을나타내고, Y은 (k+1)가의유기기이며, Rs는적어도하나의규소원자를함유하는기이고, k는 1, 2, 또는 3을나타내며, n은 0 또는 1을나타낸다.)
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C07 | 有机化学 |
| ----C07F | 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物 |
| ------C07F7/00 | 含周期表第Ⅳ族元素的化合物 |
| --------C07F7/02 | .硅化合物 |
| ----------C07F7/08 | ..具有1个或更多的C-Si键的化合物 |