基本信息:
- 专利标题： 코발트의 데미지를 억제한 반도체 소자의 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법
- 专利标题（英）：Semiconductor element cleaning solution that suppresses damage to cobalt, and method for cleaning semiconductor element using same
- 专利标题（中）：的半导体装置的洗涤液抑制钴的损坏，以及使用该清洗半导体器件的方法
- 申请号：KR1020177008629 申请日：2015-10-02
- 公开(公告)号：KR1020170083025A 公开(公告)日：2017-07-17
- 发明人： 오이에,토시유키 , 시마다,켄지
- 申请人： 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
- 申请人地址： 일본 도꾜 ***-**** 찌요다구 마루노우찌 *-쪼메 *-*
- 专利权人： 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： 일본 도꾜 ***-**** 찌요다구 마루노우찌 *-쪼메 *-*
- 代理人： 특허법인씨엔에스
- 优先权： JPJP-P-2014-230636 2014-11-13
- 国际申请： PCT/JP2015/078077 2015-10-02
- 国际公布： WO2016076033 2016-05-19
- 主分类号： C11D11/00
- IPC分类号： C11D11/00 ; C11D3/00 ; C11D3/04 ; C11D3/30 ; C11D3/28
摘要：
본발명에따르면, (1)코발트또는코발트합금을포함하는재료, 혹은 (2)코발트또는코발트합금및 텅스텐을포함하는재료와, 저유전율층간절연막을갖는반도체소자의표면의드라이에칭잔사를제거하는세정액으로서, 알칼리금속화합물 0.001~7질량%, 과산화물 0.005~35질량%, 방식제 0.005~10질량%, 알칼리토류금속화합물 0.000001~1질량% 및물을포함하는, 상기세정액을제공할수 있다.
摘要（中）：
按照本发明，（1）含有钴或钴合金，或（2）钴或包含钴合金的材料，和钨，半导体器件的表面上去除具有低介电常数层间绝缘膜的干蚀刻残渣的材料 作为清洗液，和（重量）的碱金属化合物的0.001〜7％，过氧化物0.005〜35质量％，防腐0.005〜10质量％，它可被提供给含有碱土金属化合物0.000001〜1质量％mitmul的清洗液。
摘要（英）：
In accordance with the present invention, (1) a material containing cobalt or a cobalt alloy, or (2) cobalt or the material comprising a cobalt alloy, and tungsten, removing the dry etching residue on the surface of a semiconductor device having a low dielectric constant interlayer insulating film as a cleaning liquid, it is possible to provide the cleaning liquid containing the alkali metal compound, 0.001 to 7 mass%, a peroxide 0.005 to 35% by mass, anticorrosive 0.005 to 10 mass%, an alkali earth metal compound 0.000001 to 1 mass%, and water.
公开/授权文献:
- KR102398801B1 코발트의 데미지를 억제한 반도체 소자의 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 公开/授权日：2022-05-17
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C11 | 动物或植物油、脂、脂肪物质或蜡；由此制取的脂肪酸；洗涤剂；蜡烛 |
| ----C11D | 洗涤剂组合物；用单一物质作为洗涤剂；皂或制皂；树脂皂；甘油的回收 |
| ------C11D11/00 | 制备含洗涤剂混合物之组合物的特殊方法 |