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KR1020170070179A 금속 산화물막의 제조 방법, 금속 산화물막, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법, 전자 디바이스, 및 자외선 조사 장치
审中-实审
基本信息:
- 专利标题： 금속 산화물막의 제조 방법, 금속 산화물막, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법, 전자 디바이스, 및 자외선 조사 장치
- 专利标题（英）：Method for manufacturing metal oxide film, metal oxide film, thin-film transistor, method for manufacturing thin-film transistor, electronic device, and ultraviolet irradiation device
- 专利标题（中）：的金属氧化物膜的制造方法，所述金属氧化物膜，薄膜晶体管，一种制造薄膜晶体管的电子装置的方法，以及UV照射
- 申请号：KR1020177013093 申请日：2015-12-04
- 公开(公告)号：KR1020170070179A 公开(公告)日：2017-06-21
- 发明人： 모치즈키후미히코 , 다카타마사히로
- 申请人： 후지필름 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2014-247074 2014-12-05
- 国际申请： PCT/JP2015/084178 2015-12-04
- 国际公布： WO2016088882 2016-06-09
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/324 ; H01L29/786 ; H01L21/8234
摘要：
인듐및 용매를포함하는용액을기판상에도포하여금속산화물막의전구체막을형성하는전구체막형성공정과, 가열한상태의전구체막에대하여 10Pa 이하의분위기하에서자외선조사를행함으로써전구체막을금속산화물막으로전화시키는전화공정을포함하는금속산화물막의제조방법및 그응용과, 감압실과, 감압실내에서기판을지지하고, 또한가열하는지지대와, 감압실내를 10Pa 이하로감압하는진공펌프와, 지지대에지지된기판에대하여자외선을조사하는광원을구비한자외선조사장치.
摘要（中）：
铟和形成通过施加在基板上的前体膜形成的前体膜是金属氧化物膜，所述溶液包含溶剂处理，并通过相对于为10Pa的气氛中或更小下进行UV照射到金属氧化物膜的加热hansangtae电话前体膜的前体膜 的金属氧化物膜的制造方法及其应用，并且在压力室中，支撑在真空室的基板，并且进一步支持了支持，并在减压室内，以加热真空泵，和用于降低小于10Pa的衬底，其包括呼叫处理的支撑，其中 并且对紫外线照射紫外线的光源。
摘要（英）：
Indium and solution precursor film forming step, the metal precursor film by performing UV irradiation under an atmosphere of 10Pa or less oxide with respect to the precursor membrane of a heated film to form a coated on a substrate precursor film is a metal oxide film, comprising a solvent, a method for producing a metal oxide film including a call process of the phone, and its application and the reduced pressure chamber, the pressure chamber and a support for supporting a substrate within, and further heating, a vacuum pump and a support that pressure within the pressure sensitive chamber to less than 10Pa having a light source for irradiating ultraviolet light with respect to the support substrate ultraviolet irradiation apparatus.
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |