基本信息:
- 专利标题： 금속 산화물막의 제조 방법, 금속 산화물막, 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법, 전자 디바이스, 및 자외선 조사 장치
- 专利标题（英）：METHOD FOR MANUFACTURING METAL OXIDE FILM, METAL OXIDE FILM, THIN-FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR, ELECTRONIC DEVICE, AND ULTRAVIOLET IRRADIATION DEVICE
- 申请号：KR1020177013093 申请日：2015-12-04
- 公开(公告)号：KR101954551B1 公开(公告)日：2019-03-05
- 发明人： 모치즈키후미히코 , 다카타마사히로
- 申请人： 후지필름 가부시키가이샤
- 申请人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 후지필름 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-**-**, Nishi Azabu, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 특허법인코리아나
- 优先权： JPJP-P-2014-247074 2014-12-05
- 国际申请： PCT/JP2015/084178 2015-12-04
- 国际公布： WO2016088882 2016-06-09
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/324 ; H01L29/786 ; H01L21/8234
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |