基本信息:
- 专利标题： 분위기 에피택셜 퇴적 챔버
- 专利标题（英）：Atmospheric epitaxial deposition chamber
- 专利标题（中）：大气外延沉积室
- 申请号：KR1020177009328 申请日：2015-09-02
- 公开(公告)号：KR1020170048578A 公开(公告)日：2017-05-08
- 发明人： 라우,슈-콴 , 사미르,메흐메트투그룰 , 마이오,니오 , 밀러,아론 , 헌터,아론뮤어 , 산체즈,에롤안토니오씨. , 브릴하트,폴 , 라니시,조세프엠. , 샤,카르틱 , 데마르스,데니스엘. , 쿠푸라오,사티시
- 申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 申请人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： **** Bowers Avenue, Santa Clara, CA *****, U.S.A.
- 代理人： 양영준; 백만기
- 优先权： US62/046,559 2014-09-05; US62/046,400 2014-09-05; US62/046,377 2014-09-05; US62/046,414 2014-09-05; US62/046,451 2014-09-05; US14/584,441 2014-12-29; US14/826,065 2015-08-13; US14/826,310 2015-08-14; US14/826,287 2015-08-14
- 国际申请： PCT/US2015/048167 2015-09-02
- 国际公布： WO2016036868 2016-03-10
- 主分类号： C30B25/08
- IPC分类号： C30B25/08 ; C23C16/458 ; C23C16/48 ; C30B25/14 ; C30B29/06 ; C30B29/08 ; C30B29/42 ; C30B29/40
摘要：
본명세서에설명된실시예들은에피택셜퇴적챔버들및 그것의컴포넌트들을개시한다. 일실시예에서, 챔버는처리영역에위치된기판지지체, 복수의복사에너지소스를포함하는복사에너지어셈블리, 상부라이너와하부라이너를갖는라이너어셈블리, 및기판지지체와복사에너지어셈블리사이에위치된돔 어셈블리를포함할수 있다. 본명세서에설명된에피택셜퇴적챔버들은, 스루풋을유지하고비용을감소시키고신뢰가능하게균일한퇴적생성물을제공하면서더 큰기판들의처리를허용한다.
摘要（中）：
这里描述的实施例公开了外延沉积腔室及其部件。 在一个实施例中，该腔室位于所述辐射组件之间，具有上衬垫和下衬垫，以及基板支撑件，并包括衬底支撑辐射组件，在处理区域圆顶组件的多个辐射源位置的衬里组件 在可以包含。 这里描述的外延沉积室允许处理更大的衬底，同时保持生产量，降低成本并提供可靠的均匀沉积产品。
摘要（英）：
The embodiment described herein discloses the epitaxial deposition chamber and its components. In one embodiment, the chamber is located between the radiation assembly, the liner assembly having an upper liner and a lower liner, and a substrate support and a radiation assembly including a substrate support, a plurality of radiation source positions in the processing region dome assembly It may contain. The epitaxial deposition chamber described herein, to keep the throughput and reduce the cost and permit further processing of large substrates, providing a reliable product can be uniformly deposited.