专利号KR1020167027355 | 이형 필름, 그 제조 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법

专利标题： 이형 필름, 그 제조 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법
专利标题（英）：Mold release film, method for manufacturing same, and method for manufacturing semiconductor package
专利标题（中）：用于制造其的模具释放膜方法和制造半导体封装的方法
申请号：KR1020167027355 申请日：2015-03-06
公开(公告)号：KR1020160130804A 公开(公告)日：2016-11-14
发明人： 가사이와타루 , 스즈키마사미
申请人： 아사히 가라스 가부시키가이샤
申请人地址： *-*, Marunouchi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, JAPAN
专利权人： 아사히 가라스 가부시키가이샤
当前专利权人： 아사히 가라스 가부시키가이샤
当前专利权人地址： *-*, Marunouchi *-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, JAPAN
代理人： 특허법인코리아나
优先权： JPJP-P-2014-045460 2014-03-07
国际申请： PCT/JP2015/056732 2015-03-06
国际公布： WO2015133630 2015-09-11
主分类号： H01L21/56
IPC分类号： H01L21/56 ; H01L23/00 ; B29C33/68 ; B29C43/18 ; B29C45/02 ; B29C45/14

摘要：

대전및 컬이잘 발생하지않고, 금형을오염시키지않고, 또한금형추종성이우수한이형필름, 그제조방법, 및상기이형필름을사용한반도체패키지의제조방법의제공. 반도체소자를금형내에배치하고, 경화성수지로봉지하여수지봉지부를형성하는반도체패키지의제조방법에있어서, 금형의경화성수지가접하는면에배치되는이형필름으로서, 수지봉지부의형성시에경화성수지와접하는제 1 열가소성수지층과, 수지봉지부의형성시에금형과접하는제 2 열가소성수지층과, 제 1 열가소성수지층과제 2 열가소성수지층사이에배치된중간층을구비하고, 제 1 열가소성수지층및 제 2 열가소성수지층각각의 180 ℃에 있어서의저장탄성률이 10 ∼ 300 ㎫이고, 25 ℃에 있어서의저장탄성률의차가 1,200 ㎫이하이고, 두께가 12 ∼ 50 ㎛이고, 중간층이고분자계대전방지제를함유하는층을포함하는이형필름.

摘要（中）：

为了提供不容易带电或卷曲的脱模膜，不污染模具，并且具有优异的模具跟随性，其生产方法，以及通过使用脱模膜制造半导体封装的工艺。在通过将半导体元件设置在模具中并通过可固化树脂密封形成半导体封装件的方法中，将要设置在与可固化树脂接触的模具的表面上的脱模膜树脂密封部，其包括在形成树脂密封部时与固化性树脂接触的第一热塑性树脂层，在形成树脂密封部时与模具接触的第二热塑性树脂层以及设置在第一热塑性树脂层和第二热塑性树脂层之间的中间层，其中第一热塑性树脂层和第二热塑性树脂层的180℃下的储能弹性模量分别为10〜300MPa，它们之间在25℃下的储能弹性模量的差异为至多1200MPa，并且它们的厚度为12至50μm，并且中间层包括含有聚合物抗体静电剂。

摘要（英）：

The charging and curl does not occur well, without contaminating the mold, and the mold release film having excellent followability, a method of manufacturing the same, and provides a method for manufacturing a semiconductor package using the release film. Placing a semiconductor device into a mold and a manufacturing method of a semiconductor package for forming a resin sealing the bag with the curable resin, as a release film disposed on the surface the curable resin in a mold in contact, in contact with the curable resin at the time of forming the resin sealing portion the first column may plastic resin layer, and a second number of a thermoplastic resin layer in contact with the mold in forming the resin sealing portion, the number of the first thermoplastic plastic resin layer and the second column, and having a middle layer disposed between the resin layer, the first heat and the storage elastic modulus of the plastic resin layer and a 2 180 ℃ each resin layer can be a thermoplastic is 10 ~ 300 ㎫, and a difference in storage elastic modulus at 25 ℃ than 1,200 ㎫, is 12 ~ 50 ㎛ thickness, the intermediate layer the release film comprising a layer containing a high-molecular antistatic agent.

KR102389429B1 이형 필름, 그 제조 방법, 및 반도체 패키지의 제조 방법 公开/授权日：2022-04-21

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
--------------H01L21/56	....封装，例如密封层、涂层

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