基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치 및 그 제작 방법
- 专利标题（英）：Semiconductor device and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：KR1020160089231 申请日：2016-07-14
- 公开(公告)号：KR1020160088276A 公开(公告)日：2016-07-25
- 发明人： 야마자키순페이 , 아키모토켄고 , 카와에다이스케
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 이화익; 김홍두
- 优先权： JPJP-P-2008-287187 2008-11-07
- 主分类号： H01L29/417
- IPC分类号： H01L29/417 ; H01L29/786 ; H01L27/12 ; H01L21/02
摘要：
보텀게이트형의박막트랜지스터에있어서, 소스전극과드레인전극의사이에생길우려가있는전계집중을완화하여, 스위칭특성의열화를억제하는구조및 그제작방법을제공한다. 소스전극및 드레인전극위에산화물반도체층을갖는보텀게이트형의박막트랜지스터로하고, 산화물반도체층과접하는소스전극의측면의각도θ1 및드레인전극의측면의각도θ2를 20° 이상 90° 미만으로함으로써, 소스전극및 드레인전극의측면에있어서의전극상단으로부터전극하단까지의거리를크게한다.
摘要（中）：
在底栅型的薄膜晶体管中，能够减小在源电极和漏电极之间产生的电场的浓度，抑制开关特性的劣化的结构以及制造方法。 提供了底栅型薄膜晶体管，其在源电极和漏电极上具有氧化物半导体层。 接触氧化物半导体层的源电极的横向角度和漏极的横向角度θ2为20°至90°。 由此，源电极和漏电极的侧面的电极的上端到电极的下端的距离延长。
摘要（英）：
In the thin film transistor of the bottom gate type, to relieve the electric field concentration that might occur between the source electrode and the drain electrode, and provides a structure and a manufacturing method for inhibiting the degradation of the switching characteristics. By the angle θ2 of the side of a source electrode and a thin film transistor of the bottom gate type having an oxide semiconductor layer over the drain electrode and, θ1 angle of the side surface of the source electrode in contact with the oxide semiconductor layer and the drain electrode by less than 20 ° 90 °, the distance from the electrode to the bottom electrode and the top of the larger sides of the source electrode and the drain electrode.
公开/授权文献:
- KR101774745B1 반도체 장치 및 그 제작 방법 公开/授权日：2017-09-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/417 | ...通有待整流、放大或切换电流的 |