基本信息:
- 专利标题： 포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법
- 专利标题（英）：Photodiode and method for fabricating the same
- 专利标题（中）：光化物及其制造方法
- 申请号：KR1020140149039 申请日：2014-10-30
- 公开(公告)号：KR1020160050574A 公开(公告)日：2016-05-11
- 发明人： 한상욱 , 문성욱 , 김용수 , 이인준 , 김상인 , 박원규 , 전동환 , 신찬수 , 박경호 , 정해용
- 申请人： 한국과학기술연구원 , (재)한국나노기술원 , 아주대학교산학협력단
- 申请人地址： 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 专利权人： 한국과학기술연구원,(재)한국나노기술원,아주대학교산학협력단
- 当前专利权人： 한국과학기술연구원,(재)한국나노기술원,아주대학교산학협력단
- 当前专利权人地址： 서울특별시 성북구 화랑로**길 * (하월곡동)
- 代理人： 김영철; 김 순 영
- 主分类号： H01L31/107
- IPC分类号： H01L31/107 ; H01L31/18
The photodiode comprises a substrate; The first carrier (carrier) amplifying layer that is formed on the substrate; Wherein the photon absorbing layer that is formed on the first carrier amplifier; It may include and a second carrier amplification layer disposed on the photon absorbing layer. On the other hand, the photodiode manufacturing method comprising: forming a first layer on the substrate carrier amplifier; Forming a photon-absorbing layer over the first carrier amplification layer; It may comprise; and forming a second layer on the carrier amplifier photon absorbing layer. Embodiments of the present invention can increase the voltage gain and reliability of a single photon detected by amplifying the signal using both types of carriers.
公开/授权文献:
- KR101666400B1 포토다이오드 및 포토다이오드 제조 방법 公开/授权日：2016-10-14
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L31/00 | 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件 |
| --------H01L31/02 | .零部件 |
| ----------H01L31/10 | ..特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管 |
| ------------H01L31/101 | ...对红外、可见或紫外辐射敏感的器件 |
| --------------H01L31/102 | ....仅以一个势垒或面垒为特征的 |
| ----------------H01L31/107 | .....以雪崩模式工作的势垒，如雪崩光二极管 |