基本信息:
- 专利标题： 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 장치
- 专利标题（英）：Wafer inspection method and wafer inspection apparatus
- 专利标题（中）：WAFER检查方法和WAFER检查装置
- 申请号：KR1020150136725 申请日：2015-09-25
- 公开(公告)号：KR1020160040998A 公开(公告)日：2016-04-15
- 发明人： 이토유사쿠 , 야노히로히데 , 야구치도모유키
- 申请人： 가부시기가이샤 디스코
- 申请人地址： **-**, Omori-Kita *-chome, Ota-ku, Tokyo, ***-**** Japan
- 专利权人： 가부시기가이샤 디스코
- 当前专利权人： 가부시기가이샤 디스코
- 当前专利权人地址： **-**, Omori-Kita *-chome, Ota-ku, Tokyo, ***-**** Japan
- 代理人： 김태홍; 김진회
- 优先权： JPJP-P-2014-205552 2014-10-06
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/304 ; B24B37/04
摘要：
본발명은짧은시간에정밀도좋게웨이퍼의가공면의연마불량을검사하는것을목적으로한다. 웨이퍼검사방법은, 웨이퍼(W)의가공면을촬상하는공정과, 촬상데이터의소정의픽셀중, 주변픽셀보다화소값이높은픽셀을특징점으로서추출하여제1 화상을작성하는공정과, 촬상데이터의소정의픽셀중, 주변픽셀보다화소값이낮은픽셀을특징점으로서추출하여제2 화상을작성하는공정을가지며, 제1, 제2 화상으로부터웨이퍼의가공면을검사한다.
摘要（中）：
本发明的目的是在短时间内精确地检查晶片的经处理表面的抛光故障。 晶片检查方法包括：对晶片的经处理表面进行成像的工艺; 通过从成像数据的每个预定区域中的像素中提取具有比周边像素高的像素值作为特征点的像素来形成第一图像的处理; 以及通过从成像数据的每个预定区域中的像素中提取具有比周边像素的像素值低的像素作为特征点的像素来形成第二图像的处理。 第一和第二图像用于检查晶片的经处理的面。
摘要（英）：
An object of the present invention is to accurately in a short time to check the polishing defects in the machined surface of the wafer.
Wafer inspection method comprising the steps of creating a first image by extracting a predetermined pixel value is higher than one pixel, the surrounding pixels of pixels of the step of imaging data for imaging the processed surface of the wafer (W) as the feature points, the captured image data the predetermined has a step of creating a second image by extracting a, a feature point is a pixel value is lower than the surrounding pixels, pixels of the pixel, the first and determines the processing surface of the wafer from the second image.
公开/授权文献:
- KR102345186B1 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 장치 公开/授权日：2021-12-30
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |