基本信息:
- 专利标题： 발광소자 및 조명시스템
- 专利标题（英）：Light emitting device and lighting system
- 专利标题（中）：发光装置和照明系统
- 申请号：KR1020140041296 申请日：2014-04-07
- 公开(公告)号：KR1020150116274A 公开(公告)日：2015-10-15
- 发明人： 최영재 , 최재훈
- 申请人： 엘지이노텍 주식회사
- 申请人地址： **, Huam-ro, Jung-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 专利权人： 엘지이노텍 주식회사
- 当前专利权人： 엘지이노텍 주식회사
- 当前专利权人地址： **, Huam-ro, Jung-gu, Seoul, *****, Republic of Korea
- 代理人： 김기문
- 主分类号： H01L33/12
- IPC分类号： H01L33/12 ; H01L33/32
摘要：
실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층(112); 상기제1 도전형반도체층(112) 상에활성층(114); 상기활성층(114) 상에질화갈륨계열층(129); 상기질화갈륨계열층(129) 상에제2 도전형반도체층;을포함할수 있다. 상기질화갈륨계열층(129)은상기활성층(114) 상에제2 도전형 AlInGaN(단, 0
摘要（中）：
实施例涉及发光器件，其制造方法，发光器件封装和照明系统。 根据实施例的发光器件可以包括第一导电类型半导体层（112）; 在第一导电类型半导体层（112）上的有源层（114）; 在有源层（114）上的氮化镓层（129）; 和在氮化镓层（129）上的第二导电类型半导体层。 氮化镓层（129）可以包括第二导电类型Al_xIN_yGa_（1-x-y）N（127），其中满足0
摘要（英）：
Embodiment relates to a method of manufacturing a light-emitting element, the light emitting device, a light emitting device package and a lighting system.
A light emitting device according to the embodiment may include a first conductive type semiconductor layer 112; The first active layer 114 on the conductive semiconductor layer 112; The active layer GaN-based layer 129 on the (114); On the GaN-based layer 129, a second conductive type semiconductor layer may include a.
The GaN-based layer 129 is the active layer 114, the second conductivity type on the Al
x In
y Ga
(1-xy) N (stage, 0 <x <1, 0 <y <1) (127) It can be included.