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3. 发明公开

KR1020150116274A 발광소자 및 조명시스템 审中-实审
标题翻译：发光装置和照明系统
公开(公告)号：KR1020150116274A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020140041296
申请日：2014-04-07
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최영재 , 최재훈
IPC分类号： H01L33/12 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/32
摘要： 실시예는발광소자, 발광소자의제조방법, 발광소자패키지및 조명시스템에관한것이다. 실시예에따른발광소자는제1 도전형반도체층(112); 상기제1 도전형반도체층(112) 상에활성층(114); 상기활성층(114) 상에질화갈륨계열층(129); 상기질화갈륨계열층(129) 상에제2 도전형반도체층;을포함할수 있다. 상기질화갈륨계열층(129)은상기활성층(114) 상에제2 도전형 AlInGaN(단, 0
摘要翻译：实施例涉及发光器件，其制造方法，发光器件封装和照明系统。根据实施例的发光器件可以包括第一导电类型半导体层（112）; 在第一导电类型半导体层（112）上的有源层（114）; 在有源层（114）上的氮化镓层（129）; 和在氮化镓层（129）上的第二导电类型半导体层。氮化镓层（129）可以包括第二导电类型Al_xIN_yGa_（1-x-y）N（127），其中满足0

4. 发明公开

KR1020150033032A 발광소자 모듈 审中-实审
标题翻译：发光二极管模块
公开(公告)号：KR1020150033032A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：KR1020130112487
申请日：2013-09-23
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최재훈 , 최영재
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/58 , H01L33/62
摘要： 실시예는소수성재질의플렉시블부재와, 상기플렉시블부재의내측에배치된다수의발광소자패키지와, 상기발광칩 사이를연결하는연결전극과, 상기플렉시블부재의일측에형성된소수성재질의제1 패턴을포함한다. 실시예는몸체부를플렉시블한재질로형성함으로써, 제품구현의자유도를높일수 있는효과가있다. 또한, 실시예는몸체부를소수성재질로형성함으로써, 방수가가능하고광원에먼지가붙지않는특성에의해광 효율을향상시킬수 있는효과가있다.
摘要翻译：根据本发明实施例的发光器件模块包括：由疏水材料制成的柔性构件; 布置在所述柔性构件内的多个发光器件封装; 用于连接发光芯片的连接电极; 以及由疏水材料制成并形成在柔性构件的一侧上的第一图案。根据本发明的发光器件模块，主体单元由柔性材料制成，以提高产品实施的自由度。此外，身体单元由疏水材料制成，以防止灰尘粘附到光源，从而提高光效。

5. 发明公开

KR1020140134375A 반도체 기판, 발광 소자 및 전자 소자 审中-实审
标题翻译：半导体衬底，发光器件和电子器件
公开(公告)号：KR1020140134375A
公开(公告)日：2014-11-24
申请号：KR1020130054094
申请日：2013-05-14
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최재훈 , 최영재
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/325 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/12
摘要： 반도체 기판은 기판 상에 제1 도전형 반도체층과, 기판과 제1 도전형 반도체층 사이에 배치된 제어층을 포함한다. 제어층은 Al을 포함하는 제1 질화물 반도체층과, 제1 질화물 반도체층 상에 배치된 다수의 나노 구조물과, 제1 질화물 반도체층 상에 배치되고, Ga을 포함하는 제2 질화물 반도체층을 포함한다.
摘要翻译：半导体衬底包括衬底上的第一导电类型半导体层和布置在衬底和第一导电类型半导体层之间的控制层。控制层包括：第一氮化物半导体层，包括Al，布置在第一氮化物半导体层上的多个纳米结构;以及第二氮化物半导体层，其布置在第一氮化物半导体层上并包括Ga。

8. 发明公开

KR1020140147250A 반도체 기판, 발광 소자 및 전자 소자 审中-实审
标题翻译：半导体衬底，发光器件和电子器件
公开(公告)号：KR1020140147250A
公开(公告)日：2014-12-30
申请号：KR1020130070134
申请日：2013-06-19
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 최영재 , 최재훈
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/12 , H01L29/78 , H01L33/02
CPC分类号： H01L21/2003 , H01L29/778 , H01L33/02 , H01L33/12
摘要： A semiconductor substrate includes a first buffer layer arranged on a growth substrate, a growth prevention layer which is arranged on the first buffer layer and includes recesses, a second buffer layer arranged on the recesses, an undoped semiconductor layer arranged on the second buffer layer and the growth prevention layer, and a first conductivity type semiconductor layer arranged on the undoped semiconductor layer.
摘要翻译：半导体衬底包括布置在生长衬底上的第一缓冲层，布置在第一缓冲层上并包括凹槽的生长防止层，布置在凹部上的第二缓冲层，布置在第二缓冲层上的未掺杂半导体层，生长防止层和布置在未掺杂半导体层上的第一导电类型半导体层。

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