基本信息:
- 专利标题： 반도체 메모리 장치
- 专利标题（英）：Semiconductor memory device
- 专利标题（中）：半导体存储器件
- 申请号：KR1020140027220 申请日：2014-03-07
- 公开(公告)号：KR1020150105048A 公开(公告)日：2015-09-16
- 发明人： 송청기
- 申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 申请人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人： 에스케이하이닉스 주식회사
- 当前专利权人地址： 경기도 이천시 부발읍 경충대로 ****
- 代理人： 특허법인신성
- 主分类号： G11C29/04
- IPC分类号： G11C29/04 ; G11C11/4063
摘要：
퓨즈 어레이 회로를 구비하는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 활성화 제어 신호에 응답하여 입력 동작이 제어되며, 커멘드 신호를 입력받아 버퍼링하기 위한 커맨드 버퍼링부, 상기 커맨드 신호에 응답하여 예정된 데이터가 프로그래밍되는 퓨즈 어레이, 및 상기 퓨즈 어레이의 프로그래밍 동작 구간에서 상기 활성화 제어 신호의 활성화 동작을 제어하기 위한 활성화 제어부를 구비하는 반도체 메모리 장치가 제공된다.
摘要（中）：
本发明涉及一种包括熔丝阵列电路的半导体存储器件。 半导体存储器件包括：命令缓冲单元，用于响应于激活控制信号控制输入操作，以及接收和缓冲命令信号; 用于响应于所述命令信号编程调度数据的熔丝阵列; 以及激活控制单元，用于控制用于所述熔丝阵列的编程操作周期的所述激活控制信号的激活操作。
摘要（英）：
Fuse array circuit semiconductor relates to a memory device, the input operation is controlled in response to the activation control signal, the command buffer unit, the fuse array scheduled in response to the command signal data are being programmed for buffering by receiving the command signal having a a semiconductor memory device having a activation controller for controlling an activation operation of the activation control signal is provided by, and the programming operation interval of the fuse array.
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G11 | 信息存储 |
| ----G11C | 静态存储器 |
| ------G11C29/00 | 存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器 |
| --------G11C29/04 | .损坏存储元件的检测或定位 |