基本信息:
- 专利标题： 칼코지나이드 화합물계 박막이 증착된 기판 및 이의 제조 방법
- 专利标题（英）：Substrate having chalcogenide thin film deposited thereon and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：具有氯化铝薄膜的底物及其制造方法
- 申请号：KR1020140023054 申请日：2014-02-27
- 公开(公告)号：KR1020150101585A 公开(公告)日：2015-09-04
- 发明人： 유봉영 , 박기문 , 김동욱
- 申请人： 한양대학교 에리카산학협력단
- 申请人地址： 경기도 안산시 상록구 한양대학로 **
- 专利权人： 한양대학교 에리카산학협력단
- 当前专利权人： 한양대학교 에리카산학협력단
- 当前专利权人地址： 경기도 안산시 상록구 한양대학로 **
- 代理人： 특허법인다울
- 主分类号： C25D7/06
- IPC分类号： C25D7/06 ; C25D5/00
The present invention discloses a wet electrolytic plating with a knife Koji arsenide (chalcogenide) with the use of a compound capable of forming a thin film directly on a non-conductive substrate knife Koji arsenide compound-based film deposition substrate and a preparation method thereof. Carl Cozy arsenide substrate compound-based thin film deposited according to the present invention, the non-conductive substrate; At least one metal electrode formed on the non-conductive substrate; And knife Koji arsenide-based compound thin film to be deposited directly on the non-conductive substrate and the metal electrode, and including, the thin film is grown in the horizontal direction relative to the non-conductive substrate from the side of the metal electrode.
公开/授权文献:
- KR101584092B1 칼코지나이드 화합물계 박막이 증착된 기판 및 이의 제조 방법 公开/授权日：2016-01-12
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C25 | 电解或电泳工艺；其所用设备 |
| ----C25D | 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置 |
| ------C25D7/00 | 以施镀制品为特征的电镀 |
| --------C25D7/06 | .丝；带；箔 |