发明公开
KR1020150032840A Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치
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基本信息:
- 专利标题： Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 칩을 제조하기 위한 방법, Ｘ-선들의 직접 변환을 위한 센서 및 이러한 센서를 사용하기 위한 치과 방사선 장치
- 专利标题（英）：Method for production of a pellet for a direct-conversion detector of x-rays, direct-conversion detector of x-rays and dental radiology apparatus using such a detector
- 专利标题（中）：用于生产X射线直接转换检测器的薄片的方法，使用这种检测器的X射线和牙科放射学装置的直接转换检测器
- 申请号：KR1020147035828 申请日：2012-06-21
- 公开(公告)号：KR1020150032840A 公开(公告)日：2015-03-30
- 发明人： 바르보우스필리프 , 비아바도미니끄 , 비네로랑 , 보소렐실비에 , 구리어다이디어 , 잉글리스쟝-마르크 , 폰폰쟝-페리에 , 라울트마티유
- 申请人： 트로피
- 申请人地址： * rue F. Pelloutier, Croissy-Beaubourg, F-***** Marne La Vallee, Cedex *, France
- 专利权人： 트로피
- 当前专利权人： 트로피
- 当前专利权人地址： * rue F. Pelloutier, Croissy-Beaubourg, F-***** Marne La Vallee, Cedex *, France
- 代理人： 제일특허법인
- 国际申请： PCT/FR2012/051402 2012-06-21
- 国际公布： WO2013190187 2013-12-27
- 主分类号： H01L31/115
- IPC分类号： H01L31/115 ; H01L31/18 ; H01L31/0296 ; H01L31/032 ; A61B6/14 ; A61B6/00
摘要：
본 발명은 X-선들의 직접 변환을 검출하기 위한 칩을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. 그것은 또한 이러한 칩을 사용한 X-선들을 위한 직접 변환 검출기 및 적어도 하나의 이러한 검출기를 사용한 치과 방사선 장비에 관한 것이다.
웨이퍼를 제조하기 위한 방법은 분말상 다결정 반도체 재료에 압력을 인가하기 위한 단계(3, 4, 4a) 및 설정된 시간 기간 동안 가열을 위한 단계(5 내지 9)를 포함한다. 그것은 다결정 반도체 재료에 적어도 0.2%의 불순물 레벨을 제공하기 위한 예비 단계를 포함한다.
摘要（英）：
웨이퍼를 제조하기 위한 방법은 분말상 다결정 반도체 재료에 압력을 인가하기 위한 단계(3, 4, 4a) 및 설정된 시간 기간 동안 가열을 위한 단계(5 내지 9)를 포함한다. 그것은 다결정 반도체 재료에 적어도 0.2%의 불순물 레벨을 제공하기 위한 예비 단계를 포함한다.
The invention relates to a method for manufacturing a chip for detecting a direct conversion of the X- lines. It also relates to a dental radiation equipment using a direct conversion detector, and at least one such detector for X- lines employing such a chip.
Method for fabricating a wafer comprises the steps (3, 4, 4a) and step time (5 to 9) for heating for a period set for applying a pressure to the powdery polycrystal semiconductor material. It comprises a preliminary step for providing the impurity level of at least 0.2% in a polycrystalline semiconductor material.