基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：KR1020140113784 申请日：2014-08-29
- 公开(公告)号：KR1020150028197A 公开(公告)日：2015-03-13
- 发明人： 아오키다케시
- 申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 申请人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
- 当前专利权人地址： 일본국 가나가와켄 아쓰기시 하세 ***
- 代理人： 장훈
- 优先权： JPJP-P-2013-184202 2013-09-05
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L29/786 ; H01L21/8242
摘要：
본 발명은 높은 수율로 제작할 수 있고 고집적화가 가능한 반도체 기억 장치를 제공한다.
비트선 방향으로 인접한 한 쌍의 메모리 셀이 공통의 콘택트 홀을 통하여 비트선에 접속된다. 또한, 비트선 방향으로 인접한 한 쌍의 메모리 셀이 비트선에 접속된 전극을 공유한다. 메모리 셀이 가지는 산화물 반도체층은 워드선 및 용량선과 중첩하여 제공된다. 메모리 셀을 구성하는 트랜지스터 및 용량 소자는 각각 메모리 셀에 접속되는 비트선과 중첩하여 제공된다.
摘要（中）：
비트선 방향으로 인접한 한 쌍의 메모리 셀이 공통의 콘택트 홀을 통하여 비트선에 접속된다. 또한, 비트선 방향으로 인접한 한 쌍의 메모리 셀이 비트선에 접속된 전극을 공유한다. 메모리 셀이 가지는 산화물 반도체층은 워드선 및 용량선과 중첩하여 제공된다. 메모리 셀을 구성하는 트랜지스터 및 용량 소자는 각각 메모리 셀에 접속되는 비트선과 중첩하여 제공된다.
提供了可以以高产率制造并且可以高度集成的半导体存储器件。 与位线相邻的一对存储单元通过公共接触孔连接到位线。 此外，与位线相邻的一对存储单元共享连接到位线的电极。 存储单元中的氧化物半导体层与字线和容量线重叠。 构成存储单元的晶体管和电容器与连接到存储单元的位单元重叠。
摘要（英）：
The present invention can be manufactured with high yield and provides a highly integrated semiconductor memory device is possible.
A pair of memory cells adjacent in the bit line direction are connected to the bit line through a contact hole common. Further, a pair of memory cells adjacent in the bit line direction share the electrode connected to the bit line. An oxide semiconductor layer having a memory cell is provided by overlapping lines and word lines, and capacity. A transistor and a capacitor element constituting the memory cell is provided by overlapping the bit lines connected to the memory cell.
公开/授权文献:
- KR102220602B1 반도체 장치 公开/授权日：2021-03-02
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/108 | .....动态随机存取存储结构的 |