基本信息:
- 专利标题： 전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 에미터의 제조 방법
- 专利标题（英）：Field emission element and method of manufacturing emitter of field emission element
- 专利标题（中）：现场排放元素及其排放元素的制造方法
- 申请号：KR1020130105099 申请日：2013-09-02
- 公开(公告)号：KR1020150026365A 公开(公告)日：2015-03-11
- 发明人： 이동구 , 박상현 , 김용철 , 김일환 , 정태원
- 申请人： 삼성전자주식회사 , 금오공과대학교 산학협력단
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사,금오공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사,금오공과대학교 산학협력단
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01J1/30
- IPC分类号： H01J1/30
摘要：
개시된 전계 방출 소자는 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극에 지지된 전자 방출원을 포함하는 에미터; 상기 에미터 주위에 마련되고 상기 전자 방출원으로부터 방출된 전자의 통로인 개구를 형성하는 절연 스페이서; 상기 개구 주위에 배치되는 게이트 전극;을 포함하며, 상기 전자 방출원은 상기 캐소드 전극에 상기 개구를 향하여 세워진 형태로 지지된 다수의 그래핀 박막을 포함한다.
摘要（中）：
本发明提供能够在低栅极电压下高效率地抽出许多电子的场致发射元件，以及制造场致发射元件的发射极的方法。 所公开的场发射元件包括：阴极电极; 包括由阴极电极支撑的电子发射源的发射极; 绝缘间隔件，其布置在发射器周围并形成作为从电子发射源发射的电子的路径的开口; 以及设置在开口周围的栅电极。 电子发射源包括由阴极支撑的多个石墨烯薄膜，其形状朝向开口竖立。
摘要（英）：
Disclosed a field emission device is an emitter comprising an electron emitter supported by the cathode electrode and the cathode electrode; Insulating spacers provided around the emitter is formed in the electron passage opening is emitted from the electron emission source; A gate electrode disposed around said opening; includes the electron emission source includes a plurality of graphene thin film to a support erected shape toward the opening to the cathode electrode.
公开/授权文献:
- KR102040150B1 전계 방출 소자 및 전계 방출 소자의 에미터의 제조 방법 公开/授权日：2019-11-04