基本信息:
- 专利标题: 금속/금속 결합을 가지는 복합 구조체의 생산방법
- 专利标题(英):Method for producing composite structure with metal/metal bonding
- 专利标题(中):用金属/金属结合生产复合结构的方法
- 申请号:KR1020147036622 申请日:2013-06-05
- 公开(公告)号:KR1020150023507A 公开(公告)日:2015-03-05
- 发明人: 라두이오누트 , 브뢰카르트마르셀 , 카스텍스아르노 , 고댕구엘타즈 , 리우그레고리
- 申请人: 소이텍
- 申请人地址: Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-***** Bernin, France
- 专利权人: 소이텍
- 当前专利权人: 소이텍
- 当前专利权人地址: Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-***** Bernin, France
- 代理人: 정홍식
- 优先权: FR1256161 2012-06-28
- 国际申请: PCT/IB2013/001250 2013-06-05
- 国际公布: WO2014001868 2014-01-03
- 主分类号: H01L21/18
- IPC分类号: H01L21/18 ; H01L21/28
2 이하의 결합 에너지를 가지는 결합 웨이브의 전파 개시 단계 및 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼의 결합 동안 유도된 스트레스 수준의 측정 단계로서, 스트레스 수준은 Ct = Rc/Ep 공식을 이용하여 계산되는 스트레스 변수 Ct에 기초하여 결정되고, 여기에서, Rc는 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼 어셈블리의 곡률 반경(km)에 대응하고, Ep는 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼 어셈블리의 두께(㎛)에 대응하고, 결정된 스트레스 수준 Ct가 0.07 이상일 때 결합을 유효화하는 단계를 포함하고, 결합 웨이브의 전파 개시 단계는, 20 mbar 미만의 압력의 환경 및 0.1 MPa 내지 33.3 MPa 사이의 기계적 압력을 두 웨이퍼 중 어느 하나에 적용하는 조건 중 적어도 하나의 조건 하에서 수행되는 것을 � ��징으로 한다.
The method of manufacturing a composite structure is disclosed. The combination of this production method, the first wafer and the start of the propagation phase of the combined wave having a combination of less than 0.7J / m
2 since the energy spread of the combined wave bonding interface between the second wafer and the first wafer and the second wafer a measurement step of the induced stress levels during stress level is determined based on stress variable Ct is calculated using the Ct = Rc / Ep formula, where, Rc is the first wafer and the radius of curvature of the second wafer assembly ( km) corresponding to, and Ep is the propagation starting step of the first wafer and the second comprising the step of 2 corresponding to the thickness (㎛) of the wafer assembly, and enabling a predetermined stress level Ct is engaged when of 0.07 or more, and the combined wave is a mechanical pressure between the environment and 0.1 MPa to about 33.3 MPa of pressure of less than 20 mbar is carried out under at least one condition of the condition to apply to any one of the two wafers And a gong.
公开/授权文献:
- KR102084541B1 금속/금속 결합을 가지는 복합 구조체의 생산방법 公开/授权日:2020-03-05
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |