基本信息:
- 专利标题: 반도체 장치 및 그 제조 방법
- 专利标题(英):Semiconductor device and method of fabricating the same
- 专利标题(中):半导体装置及其制造方法
- 申请号:KR1020130094979 申请日:2013-08-09
- 公开(公告)号:KR1020150018279A 公开(公告)日:2015-02-23
- 发明人: 이정길 , 박찬호 , 조남기 , 최원상
- 申请人: 삼성전자주식회사
- 申请人地址: ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人: 삼성전자주식회사
- 当前专利权人: 삼성전자주식회사
- 当前专利权人地址: ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人: 특허법인가산
- 主分类号: H01L21/301
- IPC分类号: H01L21/301 ; H01L21/336 ; H01L29/78 ; H01L21/31
摘要:
반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치의 제조 방법은, 스크라이브 레인(Scribe Lane) 영역 및 칩 영역이 정의된 기판을 준비하고, 상기 기판의 상기 스크라이브 레인 영역에 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치 내의 일부에 스토퍼 막(stopper layer)을 형성하고, 상기 스토퍼 막 상에 얼라인먼트 마크(alignment mark) 물질을 형성하는 것을 포함한다.
摘要(中):
提供半导体器件及其制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤:制备在其上限定划线通道区域和芯片区域的衬底; 在基板的划线路区域上形成沟槽; 在沟槽的一部分中形成阻挡层; 并在所述止动层上形成对准标记材料。
摘要(英):
The semiconductor device and its manufacturing method are provided. A method for fabricating a semiconductor device, the scribe lane (Scribe Lane) region and the chip area portion (stopper layer) in the stopper film in the preparation of a defined substrate, and forming a trench in the scribe lane region of the substrate wherein the trench the formation, and includes forming the material alignment mark (alignment mark) on the stopper film.
公开/授权文献:
- KR102057030B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 公开/授权日:2019-12-18
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/301 | .....把半导体再细分成分离部分,例如分隔 |