基本信息:
- 专利标题： 기판 처리 장치 및 노즐 세정 방법
- 专利标题（英）：Substrate processing apparatus and nozzle cleaning method
- 专利标题（中）：基板加工设备和喷嘴清洁方法
- 申请号：KR1020140065736 申请日：2014-05-30
- 公开(公告)号：KR1020140141514A 公开(公告)日：2014-12-10
- 发明人： 가이요시히로 , 이케다요시노리 , 시노하라가즈요시 , 오다데츠야 , 다나카사토루 , 요시다유키 , 아이바라메이토쿠
- 申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 申请人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： *-* Akasaka *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 김태홍
- 优先权： JPJP-P-2013-115904 2013-05-31; JPJP-P-2013-247813 2013-11-29
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/02
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 처리액을 토출하는 제1 노즐 및 제2 노즐과, 제1 노즐과 제2 노즐을 이동시키는 이동 기구와, 적어도 제2 노즐을 세정하는 노즐 세정 장치를 구비한다. 노즐 세정 장치는, 세정조와, 오버플로조를 구비한다. 세정조는, 적어도 제2 노즐을 세정하기 위한 세정액을 저류하는 저류부와, 정해진 수위를 초과한 세정액을 저류부로부터 배출하는 오버플로부를 구비한다. 오버플로조는, 세정조에 인접하여 배치되고, 오버플로부로부터 배출되는 세정액을 받아 외부에 배출한다.
The present invention is characterized in that to improve the cleaning performance, as well as reduce the size.
The substrate processing apparatus according to the embodiment, the moving mechanism for the the first nozzle and a second nozzle for ejecting a treatment liquid to the substrate, moving the first nozzle and the second nozzle, the nozzle cleaning device for at least cleaning the second nozzle and a. A nozzle cleaning device is provided with a tank with cleaning tank, it overflows. Cleaning baths, and includes at least a storage portion for storing a cleaning liquid for cleaning the second nozzle, the parts of the cleaning liquid exceeds a predetermined water level to overflow to discharge from the reservoir. Joe overflow, is disposed adjacent to the cleaning tank, receiving the cleaning liquid discharged from the overflow portion will be discharged to the outside.
公开/授权文献:
- KR102237507B1 기판 처리 장치 및 노즐 세정 방법 公开/授权日：2021-04-06
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |