基本信息:
- 专利标题: 저 전압에서 안정적인 읽기 동작이 가능한 메모리
- 专利标题(英):Memory with reliable read operation at low voltage
- 专利标题(中):具有低电压可靠读操作的存储器
- 申请号:KR1020130060647 申请日:2013-05-28
- 公开(公告)号:KR1020140139927A 公开(公告)日:2014-12-08
- 发明人: 김용수
- 申请人: 중소기업은행
- 申请人地址: 서울특별시 중구 을지로 ** (을지로*가)
- 专利权人: 중소기업은행
- 当前专利权人: 중소기업은행
- 当前专利权人地址: 서울특별시 중구 을지로 ** (을지로*가)
- 代理人: 김남식
- 主分类号: G11C16/06
- IPC分类号: G11C16/06 ; G11C16/26 ; G11C16/08
摘要:
본 발명은 저 전압에서 동작하는 메모리의 페이지 버퍼의 데이터 읽기 방법에 관한 것으로, 저 전압에서도 메모리의 안정적인 동작을 보장한다.
摘要(中):
本发明涉及一种在低电压下操作的存储器的页面缓冲器上的数据读取方法,用于确保低电压下的存储器的稳定操作。 存储器包括感测放大器和连接到感测放大器的感测节点(SNODE)的列解码器。 每当列地址的最低位改变时,感测放大器的感测节点就被预先充电到参考电压以上。
摘要(英):
Present invention ensures a stable operation of the memory also relates to a method of reading data in the page buffer memory operating at low voltage, low voltage.
公开/授权文献:
- KR101506700B1 저 전압에서 안정적인 읽기 동작이 가능한 메모리 公开/授权日:2015-03-30