基本信息:
- 专利标题: 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법
- 专利标题(英):Wiring board and method for manufacturing wiring board
- 专利标题(中):布线基板和布线基板的制造方法
- 申请号:KR1020147018372 申请日:2013-01-30
- 公开(公告)号:KR1020140119693A 公开(公告)日:2014-10-10
- 发明人: 즈찌다,데쯔유끼 , 오꾸보,도시까즈 , 쇼지,이꾸오 , 가노,다까히로
- 申请人: 도판 인사츠 가부시키가이샤 , 고쿠리츠다이가쿠호진 군마다이가쿠
- 申请人地址: *-*, Taito *-chome, Taito-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人: 도판 인사츠 가부시키가이샤,고쿠리츠다이가쿠호진 군마다이가쿠
- 当前专利权人: 도판 인사츠 가부시키가이샤,고쿠리츠다이가쿠호진 군마다이가쿠
- 当前专利权人地址: *-*, Taito *-chome, Taito-ku, Tokyo, Japan
- 代理人: 장수길; 양영준
- 优先权: JPJP-P-2012-017261 2012-01-30
- 国际申请: PCT/JP2013/052059 2013-01-30
- 国际公布: WO2013115256 2013-08-08
- 主分类号: C23C28/02
- IPC分类号: C23C28/02 ; C23C18/32 ; C23C18/42 ; C23C18/52 ; H05K1/09
摘要:
배선 기판(1)이 Cu 또는 Cu 합금으로 구성되는 전극(12)과, 상기 전극(12) 상에 형성된 무전해 니켈 도금층(18)과 상기 무전해 니켈 도금층(18) 상에 형성된 무전해 금 도금층(22)을 갖는 도금 피막(14)을 구비하고, 상기 무전해 니켈 도금층(18)은 Ni, P, Bi 및 S이 공석되어 형성되고, 상기 무전해 니켈 도금층(18)에 포함되는 P의 함유량이 5질량% 이상 10질량% 미만, Bi의 함유량이 1∼1000질량ppm, S의 함유량이 1∼2000질량ppm이며, Bi의 함유량에 대한 S의 함유량의 질량비(S/Bi)가 1.0보다도 크다.
摘要(英):
A wiring board (1) by the electroless plating The electroless and electroless nickel-plated layer 18 formed on the electrode 12 and the electrode 12 consisting of Cu or a Cu alloy is formed on the nickel plating layer 18 of gold plating layer 22 is provided with a plated film 14, forming the electroless nickel plating layer 18 is a Ni, P, Bi and S is vacant with the electroless content of P contained in the nickel plating layer 18 is less than 5 mass% to 10 mass%, and a content of Bi 1~1000 mass ppm, the content of 1~2000 mass ppm S, is greater than 1.0 by mass ratio (S / Bi) the content of S to the amount of Bi .
公开/授权文献:
- KR102064345B1 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법 公开/授权日:2020-01-09