基本信息:
- 专利标题: 반도체 장치 또는 결정, 및, 반도체장치 또는 결정의 제조방법
- 专利标题(英):Semiconductor device, or crystal
- 专利标题(中):半导体器件,或晶体
- 申请号:KR1020147002063 申请日:2013-09-24
- 公开(公告)号:KR1020140085414A 公开(公告)日:2014-07-07
- 发明人: 카네코켄타로우 , 히토라토시미 , 히라오타카시
- 申请人: 가부시키가이샤 플로스피아
- 申请人地址: *-**, Goryoohara, Nishikyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto ******* Japan
- 专利权人: 가부시키가이샤 플로스피아
- 当前专利权人: 가부시키가이샤 플로스피아
- 当前专利权人地址: *-**, Goryoohara, Nishikyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto ******* Japan
- 代理人: 특허법인우인
- 优先权: JPJP-P-2012-218891 2012-09-28
- 国际申请: PCT/JP2013/075659 2013-09-24
- 国际公布: WO2014050793 2014-04-03
- 主分类号: H01L21/31
- IPC分类号: H01L21/31 ; H01L21/205 ; C23C16/40 ; C30B29/22 ; H01L21/02 ; H01L21/20 ; H01L21/316 ; H01L27/12
본 발명에 의하면, 코런덤형 결정구조를 가지는 하지기판과 코런덤형 결정구조를 가지는 반도체층, 코런덤형 결정구조를 가지는 절연막으로 형성되는 반도체 장치가 제공된다. 코런덤형의 결정구조를 가지는 재료 내에는 산화막이 많이 포함되고, 절연막으로서의 기능을 수행할 뿐만 아니라, 하지기판, 반도체층 및 절연막이 모두 코런덤형의 결정구조를 가짐으로써 하지기판 위에 양호한 반도체층, 절연막을 실현할 수 있다.
It provides a semiconductor device to form a good koreon deomhyeong determined.
According to the present invention, a semiconductor device koreon deomhyeong formed with an insulating film having a crystal structure to the substrate and the semiconductor layer koreon deomhyeong crystal structure, has a crystal structure having a koreon deomhyeong is provided. In the material having a crystal structure of koreon deomhyeong the oxide film is much contained, as well as contributing to the insulating film as a function, not the substrate, the semiconductor layer and the insulating film are both good semiconductor layer on the substrate not by having a crystal structure of koreon deomhyeong, insulating It can be realized.
公开/授权文献:
- KR101579460B1 반도체 장치 또는 결정, 및, 반도체장치 또는 결정의 제조방법 公开/授权日:2015-12-22